Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> SE2305A

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SE2305A: 产品描述漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.7A 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：68mΩ @ 2A,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小337KB，共6页; 制造商光宇睿芯(SINO-IC); 官网地址http://www.sino-ic.net; 上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一，应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。

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SE2305A概述

漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.7A 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：68mΩ @ 2A,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道

SE2305A规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	4.7A
栅源极阈值电压	1V @ 250uA
漏源导通电阻	68mΩ @ 2A,1.8V
最大功率耗散（Ta=25°C）	1.25W
类型	P沟道

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SHANGHAI

MICROELECTRONICS CO., LTD.

July 2005

SE2305A

20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Revision:A

General Description

SE2305A is produced with high cell density

DMOS trench technology, which is especially

used to minimize on-state resistance. This

device particularly suits low voltage

applications such as portable equipment,

power management and other battery

powered circuits, and low in-line power

dissipation are needed in a very small outline

surface mount

Features

●

= -20V

●

DS(on)

= 68mΩ @V

= -1.8V，I

= -2A

●

DS(on)

= 52mΩ @V

= -2.5V，I

= -4.1A

●

DS(on)

= 39mΩ@V

= -4.5V

，I

= -4.7A

Application

●

Load Switch

●

A Switch and Battery Switch for Portable

Devices

Pin configurations(

SOT23

)

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current (Note 1)

Total Power Dissipation

Continuous

Pulsed

@TA=25°C

@TA=75°C

Operating Junction Temperature Range

Symbol

Rating

-20

±12

-4.7

-20

1.25

0.8

-55 to 150

°C

Units

ShangHai Sino-IC Microelectronics Co., Ltd.

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