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SE8209(ESD)

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 5A,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小366KB,共4页
制造商光宇睿芯(SINO-IC)
官网地址http://www.sino-ic.net
上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一,应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。
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SE8209(ESD)概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 5A,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双N沟道

SE8209(ESD)规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻26mΩ @ 5A,4V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W
类型双N沟道

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SHANGHAI
MICROELECTRONICS CO., LTD.
Feb 2008
SE8209
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Revision:A
Features
For a single mosfet
●V
DSS
= 20 V
●R
DS(ON)
= 26mΩ @ V
GS
=4.0V @Ids=5A
R
DS(ON)
= 40mΩ @ V
GS
=2.5V @Ids=3A
Applications
●Battery
protection
●Load
switch
●Power
management
Construction
●Silicon
epitaxial planer
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Rating
Units
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current (Note 1)
Continuous
Pulsed
Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
STG
20
±12
6
24
1.7
1.5
-55 to 150
V
V
A
A
W
°C
ShangHai Sino-IC Microelectronics Co., Ltd.
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