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SMBJ18CA

产品描述极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):20.5A 箝位电压:29.2V 击穿电压(最小值):20V 反向关断电压(典型值):18V 600W
产品类别分立半导体    TVS二极管   
文件大小191KB,共4页
制造商光宇睿芯(SINO-IC)
官网地址http://www.sino-ic.net
上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一,应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。
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SMBJ18CA概述

极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):20.5A 箝位电压:29.2V 击穿电压(最小值):20V 反向关断电压(典型值):18V 600W

SMBJ18CA规格参数

参数名称属性值
极性Bidirectional
峰值脉冲电流(10/1000us)20.5A
箝位电压29.2V
击穿电压(最小值)20V
反向关断电压(典型值)18V

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SHANGHAI
MICROELECTRONICS CO., LTD.
MARCH 2008
SMBJ Seires
600 W Surface Mount Transient Voltage Suppressors
FGeneral Description
SMBJ Seires from SINO-IC is designed
to protect voltage sensitive components from
high voltage, high energy transients. It has
excellent clamping capability, high surge
capability,
fast
response
time
and
cost-effectiveness.
Revision:B
Features
Peak pulse power: 600 W (10/1000μs)
Breakdown Voltage :5.0V~120V
Bidirectional Type
Low Clamping Factor
Fast Response Time < 1 ns
Glass Passivated Junction
Applications
Communication Systems
Power Supplies
Medical Equipment
Business Machines
Mechanical Data
Case: JESEC DO214AA. Molded plastic over glass
passivated junction
Polarity: Color band denoted positive end
except Bidirectional
(cathode)
Absolute Maximum Ratings @ 25°C Unless Otherwise Specified
Parameter
Symbol
Value
Uni
ts
Peak Power Dissipation (Note 1.) @T
L
= 25°C, Pulse Width = 1 ms
P
PK
I
PPM
600
SEE TABLE 1
100
-55 to 150
-55 to 150
W
A
A
°C
°C
Peak pulse current of on 10/1000μs waveform
Peak forward surge Current
Storage Temperature Range
Operating Junction and Storage Temperature Range
Notes:
1. 10 X 1000 us, non–repetitive
I
PSM
T
STG
T
J
, T
STG
2. 1/2 sine wave (or equivalent square wave), PW = 8.3 ms, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
3. Mounted on 5.0mm2(0.03mm thick) Copper Rads to each terminal
4. A transient suppressor is normally selected according to the working peak reverse voltage (V
RWM
),
which should be equal to or greater than the DC or continuous peak operating voltage level.
5. VBR measured at pulse test current IT at an ambient temperature of 25°C.
6. Surge current waveform per Figure 1 and derate per Figure 3.
Symbol
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
I
T
V
BR
Parameter
Maximum Reverse Peak Pulse Current
Clamping Voltage @ I
PP
Working Peak Reverse Voltage
Maximum Reverse Leakage Current @ V
RWM
Test Current
Breakdown Voltage @ I
T
ShangHai Sino-IC Microelectronics Co., Ltd.
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