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SE2302U

产品描述MOS管 场效应管 20V 2.4A N沟道
产品类别分立半导体   
文件大小337KB,共6页
制造商光宇睿芯(SINO-IC)
官网地址http://www.sino-ic.net
上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一,应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。
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SE2302U概述

MOS管 场效应管 20V 2.4A N沟道

功能特点

产品名称:MOS管 场效应管 20V 2.4A N沟道


产品型号:SE2302U


产品描述:


The MOSFETs from SINO-IC provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness.


产品特征:


VDS (V) = 20V


ID = 2.4A


RDS(ON) <60mΩ (VGS = 4.5V)



封装:SOT323


SE2302U规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.4A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻60mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
类型P沟道

SE2302U文档预览

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SHANGHAI
MICROELECTRONICS CO., LTD.
July 2008
SE2302U
2.4A,20V N-Channel MOSFET
Revision:A
General Description
The MOSFETs from SINO-IC provide
the best combination of fast switching, low
on-resistance and cost-effectiveness.
Features
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 2.4A
R
DS(ON)
<60mΩ (V
GS
= 4.5V)
Pin configurations
See Diagram below
SOT-323
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
Rating
20
±8
Units
V
V
A
W
°C
Drain Current (Note 1)
Total Power Dissipation
Continuous
Pulsed
2.4
9
1.25
-50 to 150
Operating Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
t
10s
Symbol
Typ
-
Max
100
Units
./W
θ
JA
ShangHai Sino-IC Microelectronics Co., Ltd.
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