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SE30P50

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:P沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小443KB,共6页
制造商光宇睿芯(SINO-IC)
官网地址http://www.sino-ic.net
上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一,应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。
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SE30P50概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:P沟道

SE30P50规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A
栅源极阈值电压2.2V @ 250uA
漏源导通电阻7mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)90W
类型P沟道

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Jun 2015
SE30P50
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Revision: A
General Description
Thigh Density Cell Design For Ultra Low
On-Resistance Fully Characterized Avalanche
Voltage and Current Improved Shoot-Through
FOM
Simple Drive Requirement
Small Package Outline
Surface Mount Device
Features
For a single MOSFET
V
DS
= -30V
R
DS(ON)
= 4.4mΩ @ V
GS
=-10 @I
D
=-20A
Pin configurations
See Diagram below
D
5
D
6
D
7
D
8
1
S
2
S
3
S
4
G
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
Total Power Dissipation
Continuous
Pulsed
@TA=25℃
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
Rating
-30
±20
-50
-120
90
-55 to 150
Units
V
V
A
W
Operating Junction Temperature Range
ShangHai Sino-IC Microelectronic Co., Ltd.
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