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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> ESD二极管> SESD3Z08C

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SESD3Z08C: 产品描述反向关断电压（典型值）：5V 击穿电压（最小值）：8.6V 极性：Bidirectional 箝位电压：- 峰值脉冲电流（10/1000us）：-; 产品类别分立半导体 ESD二极管; 文件大小310KB，共3页; 制造商光宇睿芯(SINO-IC); 官网地址http://www.sino-ic.net; 上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一，应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。

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SESD3Z08C概述

反向关断电压（典型值）：5V 击穿电压（最小值）：8.6V 极性：Bidirectional 箝位电压：- 峰值脉冲电流（10/1000us）：-

SESD3Z08C规格参数

参数名称	属性值
反向关断电压（典型值）	5V
击穿电压（最小值）	8.6V
极性	Bidirectional

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