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FDN338P

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:P沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小710KB,共4页
制造商时科(SHIKUES)
官网地址http://www.shike.tw
时科,源自中国台湾,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗及电源应用等产品带来更优质的感知体验。自创办以来,在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下,以安全、低能耗、高性能为宗旨,时科半导体的研发战略从来没有动摇过,近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作,每年研发费用占总收入的22%左右,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,时科迅速发展,产品远销到北美、欧洲和亚太地区,被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化,更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要,从概念设计到生产制造,我们将提供全程支持。展望未来,我们将立足创新,不断为客户、员工和全社会创造价值,通过降低能耗、改善安全,提升性能,重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质,我们将全力以赴,践行承诺。
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FDN338P概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:P沟道

FDN338P规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻120mΩ @ 3A,4.5V
类型P沟道

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