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1SS355

产品类别分立半导体    开关二极管   
文件大小719KB,共3页
制造商时科(SHIKUES)
官网地址http://www.shike.tw
时科,源自中国台湾,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗及电源应用等产品带来更优质的感知体验。自创办以来,在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下,以安全、低能耗、高性能为宗旨,时科半导体的研发战略从来没有动摇过,近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作,每年研发费用占总收入的22%左右,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,时科迅速发展,产品远销到北美、欧洲和亚太地区,被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化,更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要,从概念设计到生产制造,我们将提供全程支持。展望未来,我们将立足创新,不断为客户、员工和全社会创造价值,通过降低能耗、改善安全,提升性能,重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质,我们将全力以赴,践行承诺。
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1SS355
Silicon Epitaxial Planar Switching Diode
Features
• Small plastic package suitable
for surface mounted design
• High reliability with high surge
current handling capability
Top View
Marking Code: A
Simplified outline SOD-323 and symbol
Applications
High speed switching
Absolute Maximum Ratings
(T
a
= 25 C)
O
Parameter
Peak Reverse Voltage
Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
Peak Forward Current
Surge Forward Current (1 s)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
V
RM
V
R
I
F(AV)
I
FM
I
FSM
T
j
T
stg
Value
90
80
100
225
500
150
- 55 to + 150
Unit
V
V
mA
mA
mA
O
C
C
O
Electrical Characteristics
(T
a
= 25 C)
O
Parameter
Forward Voltage
at I
F
= 100 mA
Reverse Current
at V
R
= 80 V
Capacitance between Terminals
at V
R
= 0.5 V, f = 1 MHz
Reverse Recovery Time
at V
R
= 6 V, I
F
= 10 mA, R
L
= 100
Symbol
V
F
I
R
C
T
t
rr
Max.
1.2
0.1
3
4
Unit
V
µA
pF
ns
REV.08
1 of 3
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