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FMMT589

产品类别分立半导体    三极管   
文件大小379KB,共3页
制造商时科(SHIKUES)
官网地址http://www.shike.tw
时科,源自中国台湾,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗及电源应用等产品带来更优质的感知体验。自创办以来,在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下,以安全、低能耗、高性能为宗旨,时科半导体的研发战略从来没有动摇过,近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作,每年研发费用占总收入的22%左右,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,时科迅速发展,产品远销到北美、欧洲和亚太地区,被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化,更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要,从概念设计到生产制造,我们将提供全程支持。展望未来,我们将立足创新,不断为客户、员工和全社会创造价值,通过降低能耗、改善安全,提升性能,重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质,我们将全力以赴,践行承诺。
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FMMT589
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
For switching and amplifier applications. Especially
suitable for AF-driver stages and low power output
stages.
As complementary type the NPN transistor
1.BASE 2.EMITTER 3.COLECTOR
L
SOT-23 Plastic Package
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
-V
CBO
-V
CEO
-V
EBO
-I
C
P
tot
T
j
T
S
Value
40
25
6
1
Unit
V
V
V
A
350
150
- 55 to + 150
mW
O
C
C
O
Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
DC Current Gain
at -V
CE
= 1 V, -I
C
= 100 mA
h
FE
at -V
CE
= 1 V, -I
C
= 800 mA
Collector Base Cutoff Current
at -V
CB
= 35 V
Emitter Base Cutoff Current
at -V
EB
= 6 V
Collector Base Breakdown Voltage
at -I
C
= 100 µA
Collector Emitter Breakdown Voltage
at -I
C
= 2 mA
Emitter Base Breakdown Voltage
at -I
E
= 100 µA
Collector Emitter Saturation Voltage
at -I
C
= 800 mA, -I
B
= 80 mA
Base Emitter Saturation Voltage
at -I
C
= 800 mA, -I
B
= 80 mA
Base Emitter Voltage
at -V
CE
= 1 V, -I
C
= 10 mA
Gain Bandwidth Product
at -V
CE
= 10 V, -I
C
= 50 mA
-I
CBO
-I
EBO
-V
(BR)CBO
-V
(BR)CEO
-V
(BR)EBO
-V
CE(sat)
-V
BE(sat)
-V
BE(on)
f
T
200
Symbol
Min.
Max.
Unit
-
-
-
nA
nA
V
V
V
V
V
V
MHz
400
-
100
100
-
-
-
0.5
1.2
1
-
-
-
40
25
6
-
-
-
120
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