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SS88CG

产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小348KB,共3页
制造商时科(SHIKUES)
官网地址http://www.shike.tw
时科,源自中国台湾,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗及电源应用等产品带来更优质的感知体验。自创办以来,在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下,以安全、低能耗、高性能为宗旨,时科半导体的研发战略从来没有动摇过,近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作,每年研发费用占总收入的22%左右,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,时科迅速发展,产品远销到北美、欧洲和亚太地区,被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化,更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要,从概念设计到生产制造,我们将提供全程支持。展望未来,我们将立足创新,不断为客户、员工和全社会创造价值,通过降低能耗、改善安全,提升性能,重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质,我们将全力以赴,践行承诺。
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SS82CG THRU SS820CG
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
Reverse Voltage - 20 to 200V Forward Current - 8.0A
FEATURES
Metal silicon junction, majority carrier conduction
• For surface mounted applications
• Low power loss, high efficiency
• High forward surge current capability
• For use in low voltage, high frequency inverters,
free wheeling, and polarity protection applications
PINNING
PIN
1
2
DESCRIPTION
Cathode
Anode
1
2
MECHANICAL DATA
• Case: SMC
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• A pprox. Weight:
0.22g / 0.0077oz
Absolute Maximum Ratings and Electrical characteristics
Top View
Marking Code: SS82 ~ SS820
Simplified outline SMC and symbol
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave, 60Hz resistive or inductive load,
for capacitive load, derate by 20 %
Parameter
Symbols
SS82CG
SS84CG
SS86CG
SS88CG SS810CG SS812CG SS815CG SS820CG
Units
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
20
14
20
40
28
40
60
42
60
80
56
80
8.0
100
70
100
120
84
120
150
105
150
200
140
200
V
V
V
A
Maximum RMS voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current,8.3ms
Single Half Sine-wave Superimposed
on Rated Load (JEDEC method)
I
FSM
150
A
Max Instantaneous Forward Voltage at 8 A
V
F
0.45
0.55
0.70
1.0
50
0.85
V
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Reverse Voltage
T
a
= 25°C
T
a
=100°C
I
R
mA
Typical Junction Capacitance
(1)
C
j
R
θJA
T
j
T
stg
600
35
-55 ~ +150
-55 ~ +150
400
pF
°C/W
°C
°C
Typical Thermal Resistance
(2)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
(1)
Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C
(2)
P.C.B. mounted with 2.0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper pad areas.
REV.08
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