Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> DMP3098L

DMP3098L: 产品描述漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A 栅源极阈值电压：30V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道 P沟道 -30V -3.8A; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小280KB，共2页; 制造商时科(SHIKUES); 官网地址http://www.shike.tw; 时科，源自中国台湾，全球知名的半导体分立元器件厂商之一，主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件，为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗及电源应用等产品带来更优质的感知体验。自创办以来，在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下，以安全、低能耗、高性能为宗旨，时科半导体的研发战略从来没有动摇过，近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作，每年研发费用占总收入的22%左右，加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗，时科迅速发展，产品远销到北美、欧洲和亚太地区，被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化，更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要，从概念设计到生产制造，我们将提供全程支持。展望未来，我们将立足创新，不断为客户、员工和全社会创造价值，通过降低能耗、改善安全，提升性能，重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质，我们将全力以赴，践行承诺。

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DMP3098L概述

漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A 栅源极阈值电压：30V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道 P沟道 -30V -3.8A

DMP3098L规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	3.8A
栅源极阈值电压	30V @ 250uA(最小)
漏源导通电阻	55mΩ @ 4.2A,10V
类型	P沟道

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P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Channel

Feature

●

-30V/-3.8A,

DS(ON)

=55mΩ(MAX) @V

= -10V.

10V.

DS(ON)

= 70mΩ(MAX) @V

= -4.5V.

4.5V.

DS(ON)

=120mΩ(MAX) @V

= -2.5V.

2.5V.

●

Super

High dense cell design for extremely low R

DS(ON)

and Rugged

for Surface Mount Package

●

Reliable

●

SOT-23

Applications

●

Power

Management

Equipment and Battery Powered Systems.

●

Portable

Absolute Maximum Ratings

=25

℃

Unless Otherwise noted

Electrical Characteristics

=25

℃

Unless Otherwise noted

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