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2SC3356K R25

产品描述额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:12V 晶体管类型:NPN NPN
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小613KB,共3页
制造商时科(SHIKUES)
官网地址http://www.shike.tw
时科,源自中国台湾,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗及电源应用等产品带来更优质的感知体验。自创办以来,在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下,以安全、低能耗、高性能为宗旨,时科半导体的研发战略从来没有动摇过,近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作,每年研发费用占总收入的22%左右,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,时科迅速发展,产品远销到北美、欧洲和亚太地区,被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化,更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要,从概念设计到生产制造,我们将提供全程支持。展望未来,我们将立足创新,不断为客户、员工和全社会创造价值,通过降低能耗、改善安全,提升性能,重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质,我们将全力以赴,践行承诺。
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2SC3356K R25概述

额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:12V 晶体管类型:NPN NPN

2SC3356K R25规格参数

参数名称属性值
额定功率200mW
集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce12V
晶体管类型NPN

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NPN SILICON RF TRA
N
N
ANSISTOR
3
·U
Ultra high fre
equency low noise trans
w
sistor
·S
ilicon epitax bipolar p
xial
process.
High power g
gain, low no figure,
oise
·H
·hi
dynamic range and ideal curren characteris
igh
c
nt
stics,
·S
C-59 chip p
package, mai
inly used in VHF, UHF and CATV
igh
cy
d
amplifier.
·hi
frequenc wideband low noise a
2
1
SC
C-59
Fea
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High gain:︱S
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2
TYP. Value is 11d
h
1
dB
Low noise: NF
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f
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(T
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:
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Collector
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V
CE
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C
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@
V
CE
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C
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@
V
CE
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C
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Abs
solute Maximum Rati
ings
T
A
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-65
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V
V
m
mA
m
mW
T
stg
E
ation (@VC
CE=10V,IC
C=20mA)
hFE Classifica
B
C
Cla
assification
Marking
M
R24
R
hFE
90-
-140
130-1
180
D
R25
170-250
 
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