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S5GBF

产品描述直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):1.1V @ 5A
产品类别分立半导体    通用二极管   
文件大小212KB,共3页
制造商时科(SHIKUES)
官网地址http://www.shike.tw
时科,源自中国台湾,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗及电源应用等产品带来更优质的感知体验。自创办以来,在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下,以安全、低能耗、高性能为宗旨,时科半导体的研发战略从来没有动摇过,近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作,每年研发费用占总收入的22%左右,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,时科迅速发展,产品远销到北美、欧洲和亚太地区,被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化,更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要,从概念设计到生产制造,我们将提供全程支持。展望未来,我们将立足创新,不断为客户、员工和全社会创造价值,通过降低能耗、改善安全,提升性能,重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质,我们将全力以赴,践行承诺。
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S5GBF概述

直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):1.1V @ 5A

S5GBF规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)400V
平均整流电流(Io)5A
正向压降(Vf)1.1V @ 5A

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S5ABF THRU S5MBF
Surface Mount General Purpose Silicon Rectifiers
Reverse Voltage - 50 to 1000 V
Forward Current - 5 A
FEATURES
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Glass Passivated Chip Junction
• Easy to pick and place
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
SMBF
1
2
MECHANICAL DATA
• Case: SMBF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• A pprox. Weight: 57mg / 0.002oz
Maximum Ratings and Electrical characteristics
PINNING
PIN
1
2
DESCRIPTION
Cathode
Anode
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60 Hz, resistive o r inductive load,
for capacitive load current derate by 20 %.
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
S5ABF
S5BBF
S5DBF
S5GBF
S5JBF
S5KBF
S5MBF
Units
V
V
V
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
Maximum RMS voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at T
c
= 100
°C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half
Sine Wave Superimposed on Rated Load
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 5 A
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance
(1)
T
a
= 25
°C
T
a
=125
°C
I
F(AV)
5
A
I
FSM
150
A
V
V
F
1.1
5
150
45
40
12
-55 ~ +150
I
R
μA
C
j
R
θJA
R
θJC
T
j
, T
stg
pF
°C/W
°C
Typical Thermal Resistance
(2)
Operating and Storage Temperature Range
(1)
Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C
(2)
P.C.B. mounted with 2.0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper pad areas.
REV.08
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