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BZT52C6V2

产品描述精度:±5% 稳压值(典型值):6.2V 反向漏电流:1uA @ 3V 最大功率:500mW 6.2V 0.5W
产品类别分立半导体    稳压二极管   
文件大小2MB,共4页
制造商时科(SHIKUES)
官网地址http://www.shike.tw
时科,源自中国台湾,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗及电源应用等产品带来更优质的感知体验。自创办以来,在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下,以安全、低能耗、高性能为宗旨,时科半导体的研发战略从来没有动摇过,近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作,每年研发费用占总收入的22%左右,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,时科迅速发展,产品远销到北美、欧洲和亚太地区,被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化,更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要,从概念设计到生产制造,我们将提供全程支持。展望未来,我们将立足创新,不断为客户、员工和全社会创造价值,通过降低能耗、改善安全,提升性能,重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质,我们将全力以赴,践行承诺。
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BZT52C6V2概述

精度:±5% 稳压值(典型值):6.2V 反向漏电流:1uA @ 3V 最大功率:500mW 6.2V 0.5W

BZT52C6V2规格参数

参数名称属性值
精度±5%
稳压值(典型值)6.2V
反向漏电流1uA @ 3V
最大功率500mW

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BZT52C2V0 THRU BZT52C75
Silicon Planar Zener Diodes
PINNING
Features
• Total power dissipation: max. 500 mW
• Small plastic package suitable for surface mounted design
• Tolerance approximately ± 5%
PIN
1
2
1
DESCRIPTION
Cathode
Anode
2
Top View
Simplified outline SOD-123 and symbol
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
P
tot
T
J
T
Stg
Value
500
150
- 55 to + 150
Unit
mW
O
C
C
O
Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage
at I
F
= 10 mA
Symbol
R
thA
V
F
Max.
340
0.9
Unit
O
C/W
V
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