Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 肖特基二极管> SS110F

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SS110F: 产品描述直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：850mV @ 1A 100V,1A,VF=0.85V@1A; 产品类别分立半导体肖特基二极管; 文件大小405KB，共3页; 制造商时科(SHIKUES); 官网地址http://www.shike.tw; 时科，源自中国台湾，全球知名的半导体分立元器件厂商之一，主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件，为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗及电源应用等产品带来更优质的感知体验。自创办以来，在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下，以安全、低能耗、高性能为宗旨，时科半导体的研发战略从来没有动摇过，近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作，每年研发费用占总收入的22%左右，加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗，时科迅速发展，产品远销到北美、欧洲和亚太地区，被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化，更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要，从概念设计到生产制造，我们将提供全程支持。展望未来，我们将立足创新，不断为客户、员工和全社会创造价值，通过降低能耗、改善安全，提升性能，重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质，我们将全力以赴，践行承诺。

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SS110F概述

直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：850mV @ 1A 100V,1A,VF=0.85V@1A

SS110F规格参数

参数名称	属性值
直流反向耐压（Vr）	100V
平均整流电流（Io）	1A
正向压降（Vf）	850mV @ 1A

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Surface Mount Schottky Barrier Rectifier

Reverse Voltage - 20 to 200 V

Forward Current - 1.0 A

FEATURES

• Metal silicon junction, majority carrier conduction

• For surface mounted applications

• Low power loss, high efficiency

• High forward surge current capability

• For use in low voltage, high frequency inverters,

free wheeling, and polarity protection applications

MECHANICAL DATA

• Case: SMAF

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

750,

• Approx. Weight: 27mg 0. 00086oz

Absolute Maximum Ratings and Electrical characteristics

Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave, 60Hz resistive or inductive load,

for capacitive load, derate by 20 %

1）

Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C.

2）

P.C.B. mounted with 0.2 X 0.2" (5 X 5 mm) copper pad areas.

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