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PTF2N65

产品描述漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W(Tj) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小4MB,共5页
制造商迪浦(PUOLOP)
官网地址http://www.puolop.com/
深圳市迪浦电子有限公司是中国最早从事低压差稳压电路(LDO),MOS管,电源管理IC和功率半导体器件领先的设计与销售企业之一,专业从事各种电源管理IC和功率半导体器件的设计、生产和销售。 迪浦自成立以来,飞速发展,产品已涵盖了电源管理IC(锂电充电IC/LDO IC/低电压检测(复位)IC/DC-DC升压&降压IC/白灯背光IC/电压基准源IC/稳压IC/DC-DC通用变换IC等)、MOS管(低压MOS/中压大电流MOS/高压MOS)、IGBT、EEPROM IC、音频放大IC、时钟日历IC、LED驱动IC、高压开关三极管等诸多种类上百个型号。 “质量第一、客户至上”不仅是迪浦公司的经营宗旨,也是迪浦公司持续不断高速发展的基础,我们高度重视顾客们的意见,并自始至终尽力满足客户的要求。我们一直认为质量是我们全体同仁的第一职责,也一直为迪浦公司严格的质量管理体系感到自豪。
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PTF2N65概述

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W(Tj) 类型:N沟道

PTF2N65规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻6Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)39W(Tj)
类型N沟道
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