Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> AO3407

AO3407: 产品描述漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道 P沟道,-30V,-4.1A; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小499KB，共3页; 制造商迪浦(PUOLOP); 官网地址http://www.puolop.com/; 深圳市迪浦电子有限公司是中国最早从事低压差稳压电路(LDO)，MOS管，电源管理IC和功率半导体器件领先的设计与销售企业之一，专业从事各种电源管理IC和功率半导体器件的设计、生产和销售。迪浦自成立以来，飞速发展，产品已涵盖了电源管理IC(锂电充电IC/LDO IC/低电压检测(复位)IC/DC-DC升压&降压IC/白灯背光IC/电压基准源IC/稳压IC/DC-DC通用变换IC等)、MOS管(低压MOS/中压大电流MOS/高压MOS)、IGBT、EEPROM IC、音频放大IC、时钟日历IC、LED驱动IC、高压开关三极管等诸多种类上百个型号。 “质量第一、客户至上”不仅是迪浦公司的经营宗旨，也是迪浦公司持续不断高速发展的基础，我们高度重视顾客们的意见，并自始至终尽力满足客户的要求。我们一直认为质量是我们全体同仁的第一职责，也一直为迪浦公司严格的质量管理体系感到自豪。

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AO3407概述

漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道 P沟道,-30V,-4.1A

AO3407规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	4.1A
栅源极阈值电压	3V @ 250uA
漏源导通电阻	80mΩ @ 4.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	1.4W
类型	P沟道

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AO3407

-30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

= -30V

DS(ON)

, V

@-10V, I

@ -4. A < 80m

Ω

DS(ON)

, V

@-4.5V, I

@-3.0A < 110m

Ω

Features

Advanced trench process technology

High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

Package Dimensions

SOT-23

REF.

Millimeter

Min.

Max.

2.80

3.00

2.30

2.50

1.20

1.40

0.30

0.50

0.10

0.45

0.55

REF.

Millimeter

Min.

1.80

0.90

0.10

0.35

0.92

0°

Max.

2.00

1.1

0.20

0.70

0.98

10°

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25oC unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Symbol

Limit

Unit

TA = 25

TA = 75

, T

stg

-30

-4.1

-20

1.4

-55 to 150

125

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

Junction-to-Ambient Thermal Resistance (PCB mounted)

C/W

- 1-

2017-9-1

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