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PSA10N60C

产品描述漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,600V,10A,0.65?@10V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小744KB,共9页
制造商丽隽(PIP)
官网地址http://www.pipsemi.com/
PIP-Semi成立于美国科罗拉多州的一家高科技公司。公司研发团队来自仙童、IR、TFSS,自2003年组成后一直专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工和封装测试工艺技术。 公司开发和生产VDMOS、SG MOSFET、Coolmos、 IGBT、 Gate Driver IC等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路产品,广泛应用于节能、绿色照明、智能电网、电动汽车、工控设备、消费电子等领域。 公司秉承“诚信、相信、信心、信仰"的企业文化,为客户提供完美、创新、专业的产品和全方位的服务。 为客户创造价值是我们永远的宗旨。
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PSA10N60C概述

漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,600V,10A,0.65?@10V

PSA10N60C规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻750mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)69W(Tc)
类型N沟道

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PSA10N60C
600V N-ch Planar MOSFET
General Features
RoHS Compliant
R
DS(ON),typ.
=0.65 Ω@V
GS
=10V
Low Gate Charge Minimize Switching Loss
Fast Recovery Body Diode
BV
DSS
600V
R
DS(ON),typ.
0.65Ω
I
D
10A
Applications
Adaptor
Charger
SMPS Standby Power
G
D
S
Ordering Information
Part Number
PSA10N60C
Package
TO-220F
Brand
TO-220F
Package No to Scale
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
T
L
T
J
& T
STG
Parameter
T
C
=25℃ unless otherwise specified
Value
Unit
PSA10N60C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current at V
GS
=10V
Single Pulse Avalanche Energy
Power Dissipation
Derating Factor above 25℃
Soldering Temperature
Distance of 1.6mm from case for 10 seconds
Operating and Storage Temperature Range
600
±
20
10
40
800
69
0.55
300
-55 to 150
V
A
mJ
W
W/℃
Caution: Stresses greater than those listed in the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device.
Thermal Characteristics
Symbol
R
θJC
R
θJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Max. Value
PSA10N60C
1.8
℃/W
100
Unit
©2018 Perfect Intelligent Power Semiconductor Co., Ltd. All rights reserved. Information and data in this document are owned by PIP
Semiconductors and may not be edited, reproduced, or redistributed in any way without written consent from PIP.
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