1N4007B,1N4007B pdf中文资料,1N4007B引脚图,1N4007B电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 通用二极管> 1N4007B

文档预览

1N4007B: 产品类别分立半导体通用二极管; 文件大小163KB，共2页; 制造商平伟(PINGWEI); 官网地址http://www.perfectway.cn; 重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础，面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域，建立了产品开发、制造和测试平台，提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案，始终将用户需求放在第一位。专业生产各类半导体器件（整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等）。

下载文档全文预览

1N4007B文档预览

下载PDF文档

全文
预览

1N4007B 规格书

1N4007B

1.0AMP . GLASS PASSIVATED RECTIFIERS

FEATURE

.High

current capability

.Low

forward voltage drop

.Low

power loss, high efficiency

.High

surge capability

.High

temperature soldering guaranteed

260°C /10sec/ 0.375" lead length at 5 lbs tension

DO-41

.787(20.0)

MIN.

.205(5.2)

.166(4.2)

.787(20.0)

MIN.

.110(2.8)

.080(2.0)

DIA.

MECHANICAL DATA

.Terminal:

Plated axial leads solderable per

MIL-STD 202E, method 208C

.Case:

Molded with UL-94 Class V-0 recognized

Flame Retardant Epoxy

.Polarity:

color band denotes cathode

.Mounting

position: any

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

.032(0.8)

.025(0.65)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Type Number

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified Current

.375"(9.5mm) lead length

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half

sine-wave superimposed on rated load (JEDEC

method)

Maximum Forward Voltage at 1.0A DC

Maximum DC Reverse Current

=25°C

at rated DC blocking voltage

=125°C

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Storage Temperature

Operation Junction Temperature

SYM

BOL

1N4007B

units

µA

°C/W

°C

RRM

RMS

F(AV)

FSM

(JA)

(JC)

STG

1000

700

1000

1.0

30.0

1.0

5.0

100.0

-55 to +150

Note:

1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc

2. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 0.375"（9.5mm）lead length, vertical P.C.Board Mounted.

推荐资源

东芝牌GR-185E(A)(G)、GR-235E(A)(G)、GR-265E(A)(G)型电冰箱电路

电子罗盘: ...; lorant

同样一个过滤驱动程序，在winxp下的安装方式和win2000一样的么: 现在正在开发一个USB过滤驱动程序，大致流程如下：对USB设置访问密码放在首山区，并对首山区加密，当u盘插入时候首先对首山区进行解密读出其中的数据，在一个应用程序中正确输入密码后才能够对u ......; cnnbxc 嵌入式系统

初创公司发布1.5GHz FPGA，目标直指10亿美元市场: Achronix半导体公司采用异步电路的1.5GHz FPGA已经开始送样，该公司希望该产品凭借三倍于Altera、Xilinx公司FPGA的数据率去替代高端通信、测试和其他高端市场的ASIC产品。 Achronix是否能提 ......; eeleader FPGA/CPLD

ofo智能锁密码问题: 对于第一代ofo的机械锁，我们都知道是固定密码，相同车的话密码是固定不变的，所以才会出现小孩可以通过锁的印痕知道密码的情况，对于第二代ofo智能锁，不知道这块是怎么做到不被破解或 ......; wateras1 DIY/开源硬件专区

新手菜鸟问个c语言if语句的问题: 新手刚刚接触单片机，入了个oled，看文档的时候，发现这么一段，if（IIC_Byte&0x80）这里为什么可以这样写呢？ IIC_Byte&0x80==0x80 的话我能明白，不过安例子这样两个字节按位与可以直接当 ......; grove_armweak 单片机

关于ISE调用IP核的问题: 小弟最近才学FPGA，用的是ISE9.1，想用DDS生成SIN或者COS信号，调用程序如下，行为仿真没有结果也不报错，仿真框都不弹出来，不知道错在哪求指导啊module dds(DATA,WE,A,CLK,SINE,COSINE); // ......; 309075576 FPGA/CPLD

SK 海力士开始量产 321 层 QLC NAND 闪存

8月25日消息，SK海力士公司宣布其321层2TbQLCNAND闪存产品已完成开发并正式投入量产。这一成果标志着全球首次实现超过300层的QLC技术应用，为NAND存储密度树立了新的标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年正式推出该产品。为提升新产品的成本竞争力，SK海力士开发了一种容量为2Tb的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为应对大容量N...[详细]
Cadence 携手 NVIDIA 革新功耗分析技术，加速开发十亿门级 AI 设计

Cadence携手NVIDIA革新功耗分析技术，加速开发十亿门级AI设计Cadence全新PalladiumDynamicPowerAnalysis应用程序助力AI/ML芯片和系统设计工程师打造高能效设计，缩短产品上市时间中国上海，2025年8月20日——楷登电子（美国Cadence公司，）近日宣布，通过与NVIDIA的紧密合作，公司...[详细]
从生成式AI到代理式AI：半导体技术赋能下一波创新浪潮

AI领域始终在不断演进，我们正见证一场从“生成式AI”时代到“代理式AI”时代的深刻变革。这场变革有望重塑各行各业，并释放前所未有的发展机遇。与此同时，这也需要我们提供更具创新性的技术解决方案，从而精准满足这些新兴工作负载的独特需求。如今，代理式AI正驱动各行各业变革性应用的落地。机器人领域正经历巨变，从简单的自动化发展到仓库应用、制造业等领域的复杂自主代理。与此同时，智能边缘计算也将被...[详细]
特朗普：考虑允许英伟达对华销售Blackwell芯片

北京时间8月12日，据彭博社报道，美国总统特朗普周一表示，他愿意考虑允许英伟达公司向中国出售其最先进AI芯片的降级版。特朗普表示，如果英伟达能够将其Blackwell芯片设计得不那么先进，他会考虑达成一项允许该公司向中国出口Blackwell芯片的协议。“我有可能会达成这样的协议，即对Blackwell处理器进行某种程度的负面改进。换句话说，将其性能降低30%到50%。”他在记者会上表示。...[详细]
AMD股价大跌苏姿丰安抚投资者：中国芯片许可正积极推进

北京时间8月7日，据彭博社报道，AMDCEO苏姿丰(LisaSu)周三表示，公司在所有产品需求上都看到了积极迹象，并且在获得美国政府批准重新在中国销售芯片方面也取得了进展。AMD在中国恢复芯片销售的不确定性引发投资者担心，导致AMD在周三盘中交易中一度大跌9.5%。苏姿丰在接受彭博电视采访时表示，投资者不应被短期对华出口限制的复杂局势所干扰，而应关注公司在各大市场的基本面强劲表现。“过去...[详细]
特朗普宣布对芯片征收 100% 关税，旨在刺激国内生产

美国总统唐纳德・特朗普周三宣布，将对芯片征收100%的关税，这一举措加剧了电子产品、汽车、家用电器等依赖处理器的必需品价格上涨的风险。不过，他同时表示，在美国生产芯片的公司将免征进口关税，“如果你是在美国生产，则无需支付关税”，这一表态是在椭圆形办公室会见苹果公司首席执行官蒂姆・库克时作出的。此前三个多月，特朗普曾暂时免除了大多数电子产品的进口关税。而此次关税政策与乔・拜登总统执政期间...[详细]
SK海力士HBM4定价曝光：较HBM3E溢价最高70%

8月6日消息，据媒体报道，作为全球最早量产HBM4的存储器制造商，SK海力士正为AI芯片提供关键解决方案。依托与英伟达的独家供应链关系及自身技术领先地位，SK海力士计划提高HBM4售价，预计相比HBM3E溢价可能高达70%。业内消息指出，今年上半年，SK海力士供应给英伟达的12层堆叠HBM4单价约为500美元，相较同规格HBM3E（约300美元）高出60%-70%。这一强势定价源于其在英伟达...[详细]
五代产线+AI赋能，胜科纳米：穿越周期，重构半导体分析测试格局

在半导体产业国产化浪潮席卷的当下，一家被业内称为“芯片全科医院”企业脱颖而出，这就是胜科纳米。从新加坡的初创公司到登陆科创板的行业标杆，从单一检测服务到定义五代产线，创始人李晓旻用21年时间，带领胜科纳米成为全球半导体研发领域不可或缺的“技术伙伴”。这家被国内外巨头青睐的企业，正以“诊断芯片病灶”为核心，重构半导体分析测试的生态格局，成为中国半导体产业自主创新的关键力量。10月23日，...[详细]
消息称 AMD 已以台积电 N3P 工艺流片下代 Radeon GPU，目标 2027 年中推出

12月26日消息，消息人士@Kepler_L2在参与X平台上有关AMD与三星潜在合作可能的讨论时表示，AMD的下一代RadeonGPU芯片已在台积电N3P工艺制程节点完成流片，预计在2027年中（IT之家注：应即当年的COMPUTEX台北国际电脑展上）发布。换句话说，下代RadeonGPU的公布时间将同现有RDNA4系列间隔约2.5年，...[详细]
挑战台积电：三星有望拿下谷歌 AI 芯片代工大单

12月25日消息，消息源@jukan05于12月23日在X平台发布推文，爆料称谷歌高管近期造访了三星位于美国得克萨斯州泰勒市的半导体工厂，双方就外包生产TPU事宜展开了谈判。援引博文介绍，在访问期间，双方不仅讨论了技术细节，还重点商讨了三星未来可能供应的TPU数量。这一动向表明，谷歌寻求更具优势的生产方案，正计划将其自研AI芯片的制造业务部分外包给三星。尽...[详细]
英伟达H200性能翻6倍售价微涨30%

12月25日消息，有消息称NVIDIA计划于2026年2月中旬农历春节假期前，对中国交付更强的H200AI芯片，预计发货总量为5000至10000套芯片模组，相当于约4万至8万颗H200芯片。对此NVIDIA回应称，“我们正在持续管理我们的供应链，向中国授权客户销售H200不会影响我们向全球客户供货的能力。”根据最新消息，NVIDIA计划为H200提供极具竞争力的价格，“NVIDIA给渠道...[详细]
三星晶圆代工市场份额跌破7% 积极与AMD洽谈2nm订单

12月16日消息，据TrendForce最新调查，台积电第三季度全球晶圆代工市占率攀升至71%的历史新高，进一步巩固了其行业霸主地位；而三星电子市占率则下降0.5个百分点至6.8%，位列第二，双方差距持续扩大。Sedaily报道，继特斯拉和苹果之后，AMD也正在与三星晶圆代工部门探讨基于2纳米第二代制程（SF2P）的合作方案，双方并合作开发下一代CPU，预计为EPYCVenice处理器。报...[详细]
阿斯麦对华出口光刻机比最新落后八代技术差距超10年

12月15日消息，阿斯麦对中国出口的光刻机到底有多落后，按照其CEO的说法，比最新的高数值孔径光刻技术整整落后了八代。近日，阿斯麦首席执行官克里斯托夫富凯接受采访时表示，目前阿斯麦对华出口的设备，比最新的高数值孔径光刻技术整整落后了八代。“到底有落后，这些出口光刻机的技术水平相当于我们公司2013、2014年销往西方客户的产品，技术差距超过十年。”这位CEO说道。克里斯托夫富凯表示，如果西...[详细]
安森美与英诺赛科达成战略合作协议，共同加速推进全球氮化镓产业生态建设

此次合作将建立高产能、成本优化的全球GaN制造体系，加速高能效功率器件的市场部署安森美（onsemi）宣布已与英诺赛科（Innoscience）签署谅解备忘录，双方将探索利用英诺赛科成熟的200毫米氮化镓（GaN）硅基工艺，以扩大GaN功率器件的生产规模。该合作将整合安森美在系统集成、驱动器和封装方面的专业能力，以及英诺赛科成熟先进的GaN制造能力，旨在加速推出高性价比、节能高...[详细]
贸泽电子与ATI Industrial Automation签订全球代理协议

2025年12月3日–专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子(MouserElectronics)宣布与ATIIndustrialAutomation签订全球代理协议。该公司是以工程技术为基础的机器人配件和机械臂工具知名开发商，产品涵盖自动工具更换装置、多轴力/扭矩传感系统、材料切削工具、机器人碰撞传感器与合规设备。ATIIndustrial...[详细]

小广播

热搜元器件