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GS3MB

产品描述直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1V @ 3A
产品类别分立半导体    通用二极管   
文件大小573KB,共3页
制造商平伟(PINGWEI)
官网地址http://www.perfectway.cn
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等)。
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GS3MB概述

直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1V @ 3A

GS3MB规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)1kV
平均整流电流(Io)3A
正向压降(Vf)1V @ 3A

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GS3MB
GS3MB
3.0AMPS . GLASS PASSIVATED RECTIFIER S
FEATURE
.High
current capability
.Low
forward voltage drop
.Low
power loss, high efficiency
.High
surge capability
.High
temperature soldering guaranteed:
260℃/10 seconds at terminals.
.For
surface mounted application.
.Easy
pick and place.
.083(2.11)
.075(1.91)
SMB(DO-214AA)
.155(3.94)
.130(3.30)
.185(4.70)
.160(4.06)
.012(0.305)
.006(0.152)
.103(2.60)
.078(1.98)
.060((1.52)
.032(0.80)
MECHANICAL DATA
.Terminal:
Solder plaated
.Case:
Molded with UL-94 Class V-0 recognized
Flame Retardant Epoxy(free halogen)
.Polarity:
color band denotes cathode
.Packaging:12mm
tape per EIA STD RS-481
.008(0.203)
.002(0.051)
.217(5.50)
.193(4.9)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at T
A
=55°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine- wave superimposed on rated load (JEDEC
method)
Maximum Forward Voltage at 3.0 A DC
Maximum DC Reverse Current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25°C
@T
A
=125°C
SYM
BOL
GS3MB
1000
700
1000
3.0
units
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
(JA)
T
STG
T
J
90.0
1.0
5.0
100.0
60
50
-55 to +150
-55 to +150
A
V
µA
pF
°C /W
°C
°C
Typical Junction Capacitance (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Storage Temperature
Operation Junction Temperature
Note:
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc
2. Measured on P.C.Board with 0.2×0.2”(5.0×5.0mm)Copper Pad Areas.
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