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GBJ2010

产品类别分立半导体    整流桥   
文件大小207KB,共2页
制造商平伟(PINGWEI)
官网地址http://www.perfectway.cn
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等)。
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GBJ20005 THRU GBJ2010
SINGLE PHASE20.0AMPS.GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
FEATURE
.UL
Listed Under Recognized Component Index,
File Number E338195
.Glass
passivated chip junctions
.High
case dielectric stength
.Low
Reverse Leakage Current
.High
surge current capability
.Ideal
for Printed Circuit Board Applications
1. 30.
193( 3)
1. 29.
169( 7)
GBJ
HOLE FOR NO.
6 SCREW
. 4.
189( 8)
. 4.
177( 5)
. 20.
800( 3)
. 19.
776( 7)
. 11.
441( 2)
. 10.
425( 8)
. 18.
708( 0)
. 17.
669( 0)
. 3.
150( 8)
. 3.
138( 5)
MECHANICAL DATA
.Case:
GBJ
.Case
Material: Molded Plastic.
UL Flammability Classification Rating 94V-0
.Terminals:
Pure tin plated, Lead free.
Leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026.
.Polarity:
Molded on Body
.Mounting:
Through Hole for #6 Screw
.Mounting
Torque: 5.0 in-lbs Maximum
.Weight:6.6grams
. 2.
106( 7)
. 2.
096( 3)
. 2.
094( 4)
. 2.
078( 0)
. 1.
043( 1)
. 0.
035( 9)
+
~ ~ -
.
119
( 5)
0.
. 3.
184( 4)
. 3.
122( 1)
. 2.
114( 9)
. 2.
098( 5)
. 0.
031( 8)
. 0.
023( 6)
. 4.
165( 2)
. 3.
150( 8)
. 7.
303( 7)
. 7. . 7.
303( 7) 287( 3)
. 7.
287( 3)
. 11)
433(
. 9.
354( 0)
+
½½ -
Dimensions in inches and (millimeters)
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward (with heatsink Note2)
Rectified Current @ T
C
=100°C(without heatsink)
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rate load (JEDEC
method)
Maximum Forward Voltage
Drop per element
Maximum DC Reverse Current
at rated DC blocking voltage
I
2
t Rating for Fusing (t﹤8.3ms)
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
@20.0A DC
@10.0 A DC
@T
J
=25°C
@T
J
=125°C
SYM
BOL
GBJ
20005
50
35
50
GBJ
2001
100
70
100
GBJ
2002
200
140
200
GBJ
2004
400
280
400
20.0
3.6
275
1.1
1.05
10.0
500.0
313
85
0.8
GBJ
2006
600
420
600
GBJ
2008
800
560
800
GBJ
2010
1000
700
1000
units
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
I
2
t
C
J
R
(JC)
T
STG
T
J
A
V
μA
A
2
Sec
pF
°C/W
°C
°C
-55 to +150
-55 to +150
Note:
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc
2.Device mounted on 300mm x 300mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.
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