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25N06G

产品描述漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小631KB,共8页
制造商平伟(PINGWEI)
官网地址http://www.perfectway.cn
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等)。
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25N06G概述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道

25N06G规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)25A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻36mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)
类型N沟道

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