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MBR3045YCT

产品描述直流反向耐压(Vr):45V 平均整流电流(Io):2 x 15A 正向压降(Vf):650mV @ 15A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小233KB,共3页
制造商平伟(PINGWEI)
官网地址http://www.perfectway.cn
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等)。
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MBR3045YCT概述

直流反向耐压(Vr):45V 平均整流电流(Io):2 x 15A 正向压降(Vf):650mV @ 15A

MBR3045YCT规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)45V
平均整流电流(Io)2 x 15A
正向压降(Vf)650mV @ 15A

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MBR3045YCT
MBR3045YCT
30.0AMPS. SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
FEATURE
.High current capability
.Low forward voltage drop
.Low power loss, high efficiency
.High surge capability
.High temperature soldering guaranteed
260°C /10seconds, 0.25"(6.35mm)from case.
TO-247
MBR3045YCT
MECHANICAL DATA
.Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized
Flame Retardant Epoxy
.Mounting position: any
MAXIMUM RATINGS
(T
C
=25℃ unless otherwise noted)
Parameter
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at T
C
=100°C
Per Leg
Total device
Symbol
MBR3045YCT
45
32
45
15.0
30.0
250.0
700
-55 to +150
1.1N•m (10 lbf•in)
Units
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
C
J
T
J
,
T
STG
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Operation Junction Temperature and Storage Temperature
Maximum Mounting torque, M3 or 6-32 srew
Per Leg
A
pF
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
-(per leg) (T
A
=25℃ unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ
Max
---
---
Units
T
J
=25℃
Forward voltage drop
V
F
T
J
=125℃
Reverse leakage current
I
R
T
J
=25℃
T
J
=125℃
I
F
=3A
I
F
=5A
I
F
=15A
I
F
=3A
I
F
=5A
I
F
=15A
V
R
=45V
V
R
=45V
Symbol
0.38
0.42
0.55
0.28
0.33
0.52
---
---
MBR3045YCT
0.5
0.65
---
---
V
0.60
250
μA
mA
30
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
C
=25℃ unless otherwise noted)
Parameter
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Units
°C /W
R
(JC)
Notes:
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc
2. Thermal Resistance from Junction to Case
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