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MBR10150FCT

产品描述直流反向耐压(Vr):150V 平均整流电流(Io):2 x 5A 正向压降(Vf):950mV @ 5A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小369KB,共2页
制造商平伟(PINGWEI)
官网地址http://www.perfectway.cn
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等)。
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MBR10150FCT概述

直流反向耐压(Vr):150V 平均整流电流(Io):2 x 5A 正向压降(Vf):950mV @ 5A

MBR10150FCT规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)150V
平均整流电流(Io)2 x 5A
正向压降(Vf)950mV @ 5A

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MBR1020FCT THRU MBR10200FCT
10.0AMPS. SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
FEATURE
.High
current capability
.Low
forward voltage drop
.Low
power loss, high efficiency
.High
surge capability
.High
temperature soldering guaranteed
260°C /10seconds, 0.25"(6.35mm)from case.
B
G
C
H
A
PI 1 2
N
3
ITO-220AB
L
I
Dim
A
B
C
D
E
F
G
H
MECHANICAL DATA
.Terminal:
Plated axial leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
.Case:
Molded with UL-94 Class V-0 recognized
Flame Retardant Epoxy
.Polarity:
color band denotes cathode
.Mounting
position: any
D
F
P
K
E
J
I
J
K
L
P
Min
.571(14.5)
――
.110(2.80)
---
.512(13.0)
.020(0.5)
.114(2.9)
.268(6.8)
.162(4.1)
.110(2.8)
.020(0.5)
.097(2.46)
.89(2.25)
Max
.610(15.5)
.406(10.3)
.126(3.2)
.162(4.1)
.551(14.0)
.031(0.78)
.138(3.5)
.291(7.4)
.185(4.7)
.126(3.2)
.028(0.7)
.113(2.86)
.113(2.85)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at T
C
=100°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC
method)
Maximum Forward Voltage at 5.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25°C
@T
A
=100°C
SYM
BOL
MBR
1020
FCT
MBR
1040
FCT
MBR
1050
FCT
MBR
1060
FCT
MBR
1080
FCT
MBR
10100
FCT
MBR
10150
FCT
MBR
10200
FCT
units
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
(JC)
T
STG
T
J
20
14
20
40
28
40
50
35
50
60
42
60
10.0
80
56
80
100
70
100
150
105
150
200
140
200
120.0
0.45
0.55
0.5
40.0
500
3.0
-55 to +150
-55 to +125
-55 to +150
0.70
0.85
0.1
10.0
112
0.95
A
V
mA
pF
°C /W
°C
°C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Storage Temperature
Operation JunctionTemperature
Note:
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc
2. Thermal Resistance from Junction to Case Mounted on Heatsink
- 275 -
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