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ES1J

产品描述反向恢复时间(trr):35ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V @ 1A
产品类别分立半导体    超快恢复二极管   
文件大小193KB,共2页
制造商平伟(PINGWEI)
官网地址http://www.perfectway.cn
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等)。
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ES1J概述

反向恢复时间(trr):35ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V @ 1A

ES1J规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)35ns
直流反向耐压(Vr)600V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)1.7V @ 1A

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ES1A THRU ES1J
1.0AMP. SUPER FAST SURFACE MOUNT RECTIFIER
FEATURE
.High
current capability
.Low
forward voltage drop
.Low
power loss, high efficiency
.High
surge capability
.High
temperature soldering guaranteed:
260℃/10 seconds at terminals.
.Superfast
recovery time for high efficiency.
.For
surface mounted application.
.Easy
pick and place.
Fig1: SMA/DO-214AC*
FOR OPEN JUNCTION DICE PACKAGING OUTLINE
Fig2: SMA/DO-214AC
FOR GLASS PASSIVATED DICE PACKAGING OUTLINE
MECHANICAL DATA
.Case:
Molded plastic
.Epoxy:
UL94V-0 rate flame retardant
.Lead:
MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed
.Polarity:Color
band denotes cathode end
.Packaging:12mm
tape per EIA STD RS-481
.Mounting
position: Any
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
NO
A
B
C
D
E
F
G
Fig1(mm)
1.9½2.4
1.2½1.8
0.23MAX
2.4½2.9
3.8½4.6
0.8½1.8
4.8½5.8
Fig2(mm)
1.98½2.3
1.35½1.6
0.2MAX
2.4½2.9
3.8½4.6
0.8½1.8
4.8½5.8
MAXIMUM RATINGS AND ELETRICAL CHARACTERISTICS
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at T
A
=55°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine- wave superimposed on rated load (JEDEC
method)
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25°C
@T
A
=100°C
SYM
BOL
ES1A
50
35
50
ES1B
100
70
100
ES1D
200
140
200
1.0
ES1G
400
280
400
ES1J
600
420
600
units
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
(JA)
T
STG
T
J
30.0
0.95
5.0
100.0
35
10
85
-55 to +150
-55 to +150
8
1.3
1.7
A
V
µA
nS
pF
°C /W
°C
°C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Storage Temperature
Operation Junction Temperature
Note:
1. Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc
3. Measured on P.C.Board with 0.2×0.2”(5.0×5.0mm)Copper Pad Areas.
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