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12N65F

产品描述漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小819KB,共8页
制造商平伟(PINGWEI)
官网地址http://www.perfectway.cn
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等)。
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12N65F概述

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55W(Tc) 类型:N沟道

12N65F规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻700mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)55W(Tc)
类型N沟道

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12N65(F,B,H)
12 Amps,650 Volts N-CHANNEL MOSFET
FEATURE
12A,650V,R
DS(ON)
=0.65Ω@V
GS
=10V/6A
Low gate charge
Low C
iss
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
TO-220AB
12N65
ITO-220AB
12N65F
TO-263
12N65B
TO-262
12N65H
Absolute Maximum Ratings
(T
C
=25℃,unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current(Note1)
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)
Avalanche Current(Note1)
Repetitive Avalanche Energy (Note1)
Reverse Diode dV/dt (Note 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8"from case for 5 seconds
Mounting Torque
6-32 or M3 screw
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
,T
STG
T
L
12N65(F,B,H)
650
±30
12
48
900
12
33
5.5
-55 to +150
260
10
1.1
UNIT
V
A
mJ
A
mJ
V/ns
lbf·in
N·m
Thermal
Parameter
Characteristics
Symbol
R
thJC
T
C
=25℃
P
D
ITO-220
3.0
55
TO-220
2.0
140
TO-262
TO-263
2.0
140
Units
℃/W
W
Maximum Junction-to-Case
Maximum Power Dissipation
http:// www.perfectway.cn
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