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M7

产品描述直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V @ 1A
产品类别分立半导体    通用二极管   
文件大小178KB,共2页
制造商平伟(PINGWEI)
官网地址http://www.perfectway.cn
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等)。
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M7概述

直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V @ 1A

M7规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)1kV
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)1V @ 1A

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M1 THRU M7
1.0AMP. SURFACE MOUNT RECTIFIERS
FEATURE
.High
current capability
.Low
forward voltage drop
.Low
power loss, high efficiency
.High
surge capability
.High
temperature soldering guaranteed:
260℃/10 seconds at terminals.
.For
surface mounted application.
.Easy
pick and place.
Fig1: SMA/DO-214AC*
FOR OPEN JUNCTION DICE PACKAGING OUTLINE
MECHANICAL DATA
.Case:
Molded plastic
.Epoxy:
UL94V-0 rate flame retardant
.Lead:
MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed
.Polarity:Color
band denotes cathode end
.Packaging:12mm
tape per EIA STD RS-481
.Mounting
position: Any
Fig2: SMA/DO-214AC
FOR GLASS PASSIVATED DICE PACKAGING OUTLINE
NO
A
B
C
D
E
F
G
Fig1(mm)
1.9½2.4
1.2½1.8
0.23MAX
2.4½2.9
3.8½4.6
0.8½1.8
4.8½5.8
Fig2(mm)
1.98½2.3
1.35½1.6
0.2MAX
2.4½2.9
3.8½4.6
0.8½1.8
4.8½5.8
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at T
A
=55°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine- wave superimposed on rated load (JEDEC
method)
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum Forward Voltage at 3.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25°C
@T
A
=100°C
SYM
BOL
M1
50
35
50
M2
100
70
100
M3
200
140
200
M4
400
280
400
1.0
M5
600
420
600
M6
800
560
800
M7
1000
700
1000
units
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
V
F
I
R
C
J
R
(JA)
T
STG
T
J
30.0
1.0
1.3
5.0
100.0
15
75
-55 to +150
-55 to +150
A
V
V
µA
pF
°C /W
°C
°C
Typical Junction Capacitance (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Storage Temperature
Operation Junction Temperature
Note:
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc
2. Measured on P.C.Board with 0.2×0.2”(5.0×5.0mm)Copper Pad Areas.
- 365 -
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