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RS3MGB

产品描述直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.3V @ 3A 反向恢复时间(trr):500ns
产品类别分立半导体    快恢复二极管   
文件大小261KB,共2页
制造商平伟(PINGWEI)
官网地址http://www.perfectway.cn
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等)。
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RS3MGB概述

直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.3V @ 3A 反向恢复时间(trr):500ns

RS3MGB规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)1kV
平均整流电流(Io)3A
正向压降(Vf)1.3V @ 3A
反向恢复时间(trr)500ns

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RS3AGB THRU RS3MGB 规格书
RS3AGB THRU RS3MGB
3.0AMPS.FAST RECOVERY SURFACE MOUNT RECTIFIERS
FEATURE
.Fast
switching
.High
current capability
.Low
forward voltage drop
.Low
power loss, high efficiency
.High
surge capability
.High
temperature soldering guaranteed:
260℃/10 seconds at terminals.
.For
surface mounted application.
.Easy
pick and place.
.083(2.11)
.075(1.91)
SMB(DO-214AA)
.155(3.94)
.130(3.30)
.185(4.70)
.160(4.06)
.012(0.305)
.006(0.152)
.103(2.60)
.078(1.98)
.060((1.52)
.032(0.80)
MECHANICAL DATA
.Case:
Molded plastic
.Epoxy:
UL94V-0 rate flame retardant
.Lead:
MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed
.Polarity:Color
band denotes cathode end
.Packaging:12mm
tape per EIA STD RS-481
.Mounting
position: Any
.008(0.203)
.002(0.051)
.217(5.50)
.193(4.9)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at T
A
=55°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine- wave superimposed on rated load (JEDEC
method)
Maximum Forward Voltage at 3.0 A DC
Maximum DC Reverse Current @T
A
=25°C
at rated DC blocking voltage
@T
A
=125°C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Storage Temperature
Operation Junction Temperature
SYM
BOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
(JA)
T
STG
T
J
RS3
AGB
50
35
50
RS3
BGB
100
70
100
RS3
DGB
200
140
200
RS3
GGB
400
280
400
3.0
RS3
JGB
600
420
600
RS3
KGB
800
560
800
RS3
MGB
1000
700
1000
units
V
V
V
A
90.0
1.3
5.0
100.0
150
60
50
-55 to +150
-55 to +150
250
500
A
V
µA
nS
pF
°C /W
°C
°C
Note:
1. Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc
3. Measured on P.C.Board with 15.0×15.0×1.6mmCopper Pad Areas.
1
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