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MB10F

产品类别分立半导体    整流桥   
文件大小113KB,共2页
制造商平伟(PINGWEI)
官网地址http://www.perfectway.cn
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等)。
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MB05F THRU MB10F
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED
BRIDGE RECTIFIERS
FEATURES
Rating to 1000V PRV
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 0.8
Ampere
MBF
.071(1.8)
.055(1.4)
C0.5
Lead tin plated copper
MECHANICAL DATA
Polarity:Symbol molded on body
Mounting position :Any
.030(0.75)
.018(0.45)
.106(2.7)
.09(2.3)
.197(5.0)
.181(4.6)
.063(1.6)
.047(1.2)
.008(0.2)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current (Note 1)
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load(JEDEC Method)
Peak Forward Voltage at 0.8A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Bolcking Voltage
Typical Thermal Resistance (Note3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
NOTES:1.Mounted on P.C. board.
@T
J
=25℃
@T
J
=125℃
@T
A
=40
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
MB05F
50
35
50
MB1F
100
70
100
MB2F
200
140
200
MB4F
400
280
400
0.8
MB6F
600
420
600
.157(4.0)
.142(3.6)
molded plastic technique results in inexpensive product
- +
~ ~
.014(.35)
.006(.15)
MB8F
800
560
800
MB10F
1000
700
1000
.043(1.1)
.027(0.7)
.276(7.0)
.260(6.6)
UNIT
V
V
V
A
A
V
μA
pF
℃/W
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJC
T
J
T
STG
30
1.1
5.0
500
15
75
-55 to +150
-55 to +150
Typical Junction Capacitance Per Element (Note2)
2.Measured at1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3.Thermal resistance junction to case
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