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HER108GR

产品描述直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V @ 1A
产品类别分立半导体    通用二极管   
文件大小210KB,共3页
制造商平伟(PINGWEI)
官网地址http://www.perfectway.cn
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等)。
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HER108GR概述

直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V @ 1A

HER108GR规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)1kV
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)1.7V @ 1A

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HER101GR THRU HER108GR
HER101GR THRU HER108GR
1.0AMP. GLASS PASSIVATED HIGH EFFICIENT RECTIFIERS
FEATURE
.Low
leakage
.Low
forward voltage drop
.High
current capability
.High
surge capability
.High
reliability
.High
temperature soldering guaranteed
260°C /10sec / 0.375" lead length at 5 lbs tension
DO-41
1.0(25.4)
MIN.
.205(5.2)
.166(4.2)
1.0(25.4)
MIN.
.110(2.8)
.080(2.0)
+
-
DIA.
MECHANICAL DATA
.Terminal:
Plated axial leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
.Case:
Molded with UL-94 Class V-0 recognized
Flame Retardant Epoxy(free halogen)
.Polarity:
color band denotes cathode
.032(0.8)
.025(0.65)
DIA.
Dimensions in inches and (millimeters)
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) lead length
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC
method)
Maximum Instantaneous forward Voltage at
1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at rated DC blocking voltage
@T
J
=25°C
@T
J
=125°C
SYM
BOL
HER
101G
R
HER
102G
R
HER
103G
R
HER
104G
R
HER
105G
R
HER
106G
R
HER
107G
R
HER
108G
R
units
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
(JA)
R
(JL)
T
STG
T
J
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
1.0
400
280
400
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
30
A
1.0
5.0
1.3
1.7
V
µA
100.0
50
8
75
25
-55 to +150
-55 to +150
75
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Storage Temperature
Operation Junction Temperature
nS
pF
°C/W
°C
°C
Note:
1. Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc
3. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 0.375"(9.5mm)lead length, vertical P.C.Board Mounted.
-1-
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