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SS16

产品描述直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):700mV @ 1A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小489KB,共2页
制造商平伟(PINGWEI)
官网地址http://www.perfectway.cn
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等)。
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SS16概述

直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):700mV @ 1A

SS16规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)60V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)700mV @ 1A

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SS12 THRU SS120
1.0AMP. SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
FEATURE
.For
surface mounted application
.High
current capability,
.Low
forward voltage drop
.Low
power loss, high efficiency
.High
surge current capability
.High
temperature soldering guaranteed:
260℃/10 seconds at terminals.
Fig1: SMA/DO-214AC*
FOR OPEN JUNCTION DICE PACKAGING OUTLINE
MECHANICAL DATA
.Terminal:
Solder plaated
.Case:
Molded with UL-94 Class V-0 recognized
Flame Retardant Epoxy
.Polarity:
color band denotes cathode
.Packaging:12mm
tape per EIA STD RS-481
Fig2: SMA/DO-214AC
FOR GLASS PASSIVATED DICE PACKAGING OUTLINE
NO
A
B
C
D
E
F
G
Fig1(mm)
1.9½2.4
1.2½1.8
0.23MAX
2.4½2.9
3.8½4.6
0.8½1.8
4.8½5.8
Fig2(mm)
1.98½2.3
1.35½1.6
0.2MAX
2.4½2.9
3.8½4.6
0.8½1.8
4.8½5.8
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at T
L
=90°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine- wave superimposed on rated load (JEDEC
method)
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25°C
@T
A
=100°C
SYM
BOL
SS
12
20
14
20
SS
13
30
21
30
SS
14
40
28
40
SS
15
50
35
50
SS
16
60
42
60
SS
18
80
56
80
SS
19
90
63
90
SS
110
100
70
100
SS
115
150
105
150
SS
120
200
140
200
units
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
(JA)
T
STG
T
J
1.0
30.0
0.45
0.55
0.5
40.0
110
88
-55+150
-55 to +125
-55 to +150
0.70
0.85
0.1
10.0
28
0.95
A
V
mA
pF
°C/W
°C
°C
Typical Junction Capacitance (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Storage Temperature
Operation Junction Temperature
Note:
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc
2. Measured on P.C.Board with 0.2×0.2”(5.0×5.0mm)Copper Pad Areas.
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