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SR1150

产品描述直流反向耐压(Vr):150V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):850mV @ 1A 150V,1A,VF=0.85V@1A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小481KB,共2页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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SR1150概述

直流反向耐压(Vr):150V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):850mV @ 1A 150V,1A,VF=0.85V@1A

SR1150规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)150V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)850mV @ 1A

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SR120 THRU SR1200
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Reverse Voltage - 20 to 200 Volts
DO-41
Forward Current - 1.0 Ampere
FEATURES
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Metal silicon junction,majority carrier conduction
Low power loss,high efficiency
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds,0.375
(9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
1.0 (25.4)
MIN.
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
DIA.
0.205 (5.2)
0.160(4.1)
1.0 (25.4)
MIN.
0.034 (0.86)
0.028 (0.70)
DIA.
MECHANICAL DATA
Case:
JEDEC DO-41 molded plastic body
Terminals:
Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:0.012
ounce, 0.33 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
MDD Catalog Number
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375”(9.5mm) lead length(see fig.1)
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
SYMBOLS
SR SR SR SR SR SR
120 130 140 150 160 170
SR SR SR SR SR
180 190 1A0 1150 1200
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amp
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
60
42
60
70
49
70
1.0
80
56
80
90 100 150 200
63 70 105 140
90 100 150 200
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
STG
110
0.55
10.0
0.70
0.5
40.0
0.85
5.0
80
50.0
-65 to +125
-65 to +150
-65 to +150
0.95
0.2
2.0
Amps
Volts
mA
pF
C/W
C
C
Note:1.Measured
at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted
2014-03 01版
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