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SMBJ11A

产品描述极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):33A 箝位电压:18.2V 击穿电压(最小值):12.2~13.5V 反向关断电压(典型值):11V VRWM=11V, Vc=18.2V, Ipp=33A 单向
产品类别分立半导体    TVS二极管   
文件大小3MB,共5页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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SMBJ11A概述

极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):33A 箝位电压:18.2V 击穿电压(最小值):12.2~13.5V 反向关断电压(典型值):11V VRWM=11V, Vc=18.2V, Ipp=33A 单向

SMBJ11A规格参数

参数名称属性值
极性Unidirectional
峰值脉冲电流(10/1000us)33A
箝位电压18.2V
击穿电压(最小值)12.2~13.5V
反向关断电压(典型值)11V

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SMBJ5.0 THRU SMBJ440CA
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Stand-off Voltage: 5.0-440 Volts
Peak pulse power: 600 Watts
SMB/DO-214AA
FEATURE
For surface mounted applications in order to optimize board space
Low profile package
Built-in strain relief
Glass passivated junction
Low inductance
Excellent clamping capability
600W peak pulse power capability at 10/1000μs waveform,
repetition rate (duty cycle): 0.01%
Fast response time
Typical I
R
less than 1μA above 10V
High Temperature soldering: 260
/10 seconds at terminals
Plastic package has underwriters laboratory flammability 94V-0
0.087 (2.20)
0.071 (1.80)
0.155(3.94)
0.130(3.30)
0.180(4.57)
0.160(4.06)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.096(2.44)
0.084(2.13)
0.060(1.52)
0.030(0.76)
MECHANICAL DATA
0.008(0.203)MAX.
0.220(5.59)
0.205(5.21)
Dimensions in inches and (millimeters)
Case: JEDEC DO-214AA. Molded plastic over glass passivated junction
Terminal: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode except bi-directional models
Standard Packaging: 12mm tape (EIA STD RS-481)
Weight: 0.10g
APPLICATIONS
I/O interface
AC/DC power supply
Low frequency signal transmission line (RS232, RS485, etc.)
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Peak pulse power dissipation at 10/1000μs waveform
(Note1, Note2, Fig.1)
Peak pulse current of at 10/1000μs waveform (Note 1, Fig.3)
Steady state power dissipation at T
A
=50℃ (Fig.5)
Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load, (JEDEC Method) (Note3, Fig.6)
Operating junction and Storage Temperature Range.
Typical thermal resistance junction to lead
Typical thermal resistance junction to ambient
P
PPM
I
PPM
P
M(AV)
I
FSM
T
J
,T
STG
R
θJL
R
θJA
Minimum 600
See Table
5.0
100
-65 to +150
20
100
Watts
Amps
Watts
Amps
℃/W
℃/W
Notes: 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T
A
=25℃ per Fig.2.
2. Mounted on 5.0mm×5.0mm (0.03mm thick) copper pads to each terminal.
3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minutes maximum.
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