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BZT52C3V6S

产品描述精度:- 稳压值(典型值):3.6V 反向漏电流:5uA @ 1V 最大功率:200mW 3.6V,0.2W
产品类别分立半导体    稳压二极管   
文件大小382KB,共4页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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BZT52C3V6S概述

精度:- 稳压值(典型值):3.6V 反向漏电流:5uA @ 1V 最大功率:200mW 3.6V,0.2W

BZT52C3V6S规格参数

参数名称属性值
稳压值(典型值)3.6V
反向漏电流5uA @ 1V
最大功率200mW

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Surface mount zener diode
FEATURES
Planar die construction
General purpose, medium current
BZT52C2V0S-BZT52C51S
Pb
Lead-free
Ideally suited for automated assembly processes
APPLICATIONS
Zener diode
Ultra-small surface mount package
SOD-323
ORDERING INFORMATION
Type No.
BZT52C2V0S-BZT52C51S
Marking
See table 2
Package Code
SOD-323
MAXIMUM RATING
@ Ta=25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Forward Voltage
Power Dissipation
Thermal resistance, junction to ambient air
Junction temperature
Storage temperature range
@ I
F
=10mA
Symbol
V
F
P
d
R
θjA
T
j
T
stg
Value
0.9
200
625
150
-65 to +150
Unit
V
mW
℃/W
Notes: 1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.
2. Short duration test pulse used in minimize self-heating effect.
3. f = 1KHz.
2014-03 01版
½½½½://½½½.½½½½½½½½½½.½½½
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