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P6SMB6.8A

产品描述反向关断电压(典型值):5.8V 击穿电压(最小值):6.45V 极性:Unidirectional 箝位电压:10.5V 峰值脉冲电流(10/1000us):58.1A
产品类别分立半导体    TVS二极管   
文件大小3MB,共4页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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P6SMB6.8A概述

反向关断电压(典型值):5.8V 击穿电压(最小值):6.45V 极性:Unidirectional 箝位电压:10.5V 峰值脉冲电流(10/1000us):58.1A

P6SMB6.8A规格参数

参数名称属性值
反向关断电压(典型值)5.8V
击穿电压(最小值)6.45V
极性Unidirectional
箝位电压10.5V
峰值脉冲电流(10/1000us)58.1A

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P6SMB6.8A THRU P6SMB550CA
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Stand-off Voltage: 6.8-550 Volts
Peak pulse power: 600 Watts
FEATURE
SMB/DO-214AA
typically less than 1.0ps
from 0V to BV min
0.155(3.94)
0.130(3.30)
0.087 (2.20)
0.071 (1.80)
applications to optimize
board space
capability
resistance
less than 1μA
R
above 12V
soldering guaranteed:
260°C/40 seconds at
terminals
Underwriters Laboratory
Flammability 94V-O
0.180(4.57)
0.160(4.06)
temperature coefficient
0.012(0.305)
0.006(0.152)
ΔV
BR
= 0.1% x V
BR
@25°C x ΔT
junction
0.096(2.44)
0.084(2.13)
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.008(0.203)MAX.
capability at 10×1000μs
waveform, repetition rate
(duty cycles):0.01%
0.220(5.59)
0.205(5.21)
Description
Dimensions in inches and (millimeters)
The P6SMB series is designed specifically to protect
sensitive electronic equipment from voltage transients
induced by lightning and other transient voltage events.
APPLICATIONS
TVS devices are ideal for the protection of I/O Interfaces, bus and other vulnerable circuits used in Telecom,
Computer, Industrial and Consumer electronic applications.
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Peak Pulse Power Dissipation at T
A
=25ºC by 10x1000μs waveform
(Fig.1)(Note 1), (Note 2)
Power Dissipation on infinite heat sink at T
A
=50
O
C
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine Wave (Note 3)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 50A for Unidirectional only (Note 4)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Typical Thermal Resistance Junction to Lead
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
Notes:
1. Non-repetitive current pulse , per Fig. 3 and derated above T
A
= 25
O
C per Fig. 2.
2. Mounted on copper pad area of 0.2x0.2” (5.0 x 5.0mm) to each terminal.
3. Measured on 8.3ms single half sine wave or equivalent square wave for unidirectional
device only,duty cycle=4 per minute maximum.
_
_
4. V
F
<3.5V for V
BR
<
200V and V
F
<5.0V for V
BR
>
201V.
P
PPM
P
M(AV)
I
FSM
V
F
T
J
,T
STG
R
θJL
R
θJA
600
5.0
100
3.5V/5.0
-65 to +150
20
100
Watts
Watts
Amps
V
℃/W
℃/W
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