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SMBJ200CA

产品描述极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):- 箝位电压:- 击穿电压(最小值):- 反向关断电压(典型值):200V
产品类别分立半导体    TVS二极管   
文件大小204KB,共4页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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SMBJ200CA概述

极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):- 箝位电压:- 击穿电压(最小值):- 反向关断电压(典型值):200V

SMBJ200CA规格参数

参数名称属性值
极性Bidirectional
反向关断电压(典型值)200V

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SMBJ5.0 THRU SMBJ170CA
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Breskdown voltage: 5.0-170 Volts
Peak pulse power: 600 Wallts
FEATURE
DO-214AA/SMB
Optimzed for LAN protection applications
Ideal for ESD protection of data lines in accordance
with IEC 1000-4-2(IEC801-2)
Ideal for EFT protection of data lines in accordance
with IEC1000-4-4(IEC801-2)
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-0
Glass passivated junction
600w peak pulse power capability
Excellent clamping capability
Low incremental xurge resistance
Fast response time:typically less than 1.0ps from 0v to
V
(BR)
min
High temperature soldering guaranteed:
265 C/10S at terminals
0.091 (2.30)
0.067 (1.70)
0.155(3.94)
0.130(3.30)
0.180(4.57)
0.160(4.06)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.122(3.12)
0.110(2.82)
MECHANICAL DATA
0.008(0.203)MAX.
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.220(5.59)
0.205(5.21)
Dimensions in inches and (millimeters)
Case:
JEDEC DO-214AA molded plastic body over
passivated junction
Terminals:
Solder plated , solderable per MIL-STD 750,
method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode except for
bidirectional types
Mounting Position:
Any
Weight:
0.005 ounce,0.138 grams
DEVICES FOR BIDIRECTIONAL APPLICATIONS
For bidirectional use suffix C or CA for types SMBJ5.0 thru SMBJ170 (e.g. SMBJ5.0C,SMBJ170CA)
Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOLS
Peak pulse power dissipation with a 10/1000µs wavetorm(NOTE 1,2,FIG.1)
Peak forward surge current
(Note 1,2,3)
Peak pulse current with a 10/1000µs waveform(NOTE 1)
Steady state power dissapation (Note 3)
Maximum instantaneous forward voltage at 50A(Note 3,4) unidirectional only
Operating junction and storage temperature range
P
PPM
I
FSM
I
PPM
P
M(AV)
V
F
T
STG
,T
J
VALUE
Minimum 600
100.0
See Table 1
5.0
3.5/5.0
-55 to + 150
UNITS
Watts
Amps
Amps
Watts
Volts
C
Notes:
1.Non-repetitive current pulse,per Fig.3 and derated above T
A
=25 C per Fig.2
2.Mounted on 5.0mm
2
copper pads to each terminal
3.Measured on 8.3ms single half sine-wine.For uni-directional devices only.
4.VF=3.5V on SMB-5.0 thru SMB-90 devices and VF=5.0V on SMB-100 thru SMB-170 devices
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