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DSF1D E1D

产品描述反向恢复时间(trr):35ns 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):950mV @ 1A
产品类别分立半导体    超快恢复二极管   
文件大小475KB,共2页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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DSF1D E1D概述

反向恢复时间(trr):35ns 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):950mV @ 1A

DSF1D E1D规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)35ns
直流反向耐压(Vr)200V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)950mV @ 1A

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DSF1A THRU DSF1J
SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 600 Volts
Forward Current - 1.0 Ampere
SOD-123FL
Cathode Band
Top View
FEATURES
Glass passivated device
Ideal for surface mouted applications
Low reverse leakage
Metallurgically bonded construction
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds,0.375
(9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
2.8
±
0.1
1.3± 0.15
0.10-0.30
0.6
±
0.25
1.0±
0.2
1.8± 0.1
MECHANICAL DATA
Case:
JEDEC SOD-123FL molded plastic body over passivated chip
Terminals:
Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:0.0007
ounce, 0.02 grams
3.7
±
0.2
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
SYMBOLS
MDD Catalog Number
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at1.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Maximum reverse recovery time (NOTE 1)
Typical junction capacitance (NOTE 2)
Typical thermal resistance (NOTE 3)
Operating junction and storage temperature range
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
DSF1A DSF1B DSF1C DSF1D
E1B
E1C
E1D
E1A
DSF1E
E1E
DSF1G
E1G
DSF1J
E1J
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amp
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
1.0
300
210
300
400
280
400
600
420
600
I
FSM
V
F
I
R
trr
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
STG
0.95
25.0
1.25
5.0
100.0
35
10
85
-55 to +150
1.7
Amps
Volts
µ
A
ns
pF
K/W
C
Note:
1.Measured with IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25A.
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
3.PCB mounted on 0.2*0.2" (5.0*5.0mm) coppeer pad area.
2014-03 01版
½½½½://½½½.½½½½½½½½½½.½½½
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