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MMBD4148SE

产品类别分立半导体    开关二极管   
文件大小1MB,共3页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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MMBD4148A/CA/CC/SE
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes
MMBD4148
A/CA/CC/SE
SWITCHING DIODE
FEATURES
Fast Switching Speed
For General Purpose Switching Applications
High Conductance
Marking:
MMBD4148A
MMBD4148CA
MMBD4148CC
MMBD4148SE
SOT-23
MARKING:5H
MARKING:D6
MARKING:D5
MARKING:D4
5H
5H
D6
D6
D
5
D
5
D
4
Solid dot = Green molding compound device,
D
4
if none,
the normal device
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃
Parameter
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
Peak Repetitive Peak Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Average Rectified Output Current
Non-Repetitive Peak Forward Surge C
urrent @
8.3ms
Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbo
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
FM
I
O
I
FSM
Pd
R
θJA
T
j
T
STG
Limit
100
100
72
300
200
2.0
350
357
150
-55~+150
Unit
V
V
V
mA
mA
A
mW
℃/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Reverse breakdown voltage
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Reverse
recovery time
DN:T19719A0
Symbol
V
(BR) 1
V
(BR) 2
V
F
I
R1
I
R2
C
T
t
rr
Min
100
75
Typ
Max
Unit
V
V
I
R
=100μA
I
R
=5μA
I
F
=10mA
V
R
=75V
V
R
=25V
Conditions
1
5
25
4
4
V
μA
nA
pF
ns
V
R
=0V,f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA, V
R
=6V,
Irr=0.1XI
R
,R
L
=100Ω
The above data are for reference only.
Rev:2019A0
Page :1
https://www.microdiode.com
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