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MB110S

产品描述反向峰值电压:100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):900mV @ 1A
产品类别分立半导体    整流桥   
文件大小644KB,共2页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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MB110S概述

反向峰值电压:100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):900mV @ 1A

MB110S规格参数

参数名称属性值
反向峰值电压100V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)900mV @ 1A

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MB14S THRU MB120S
Schottky Surface Mount Flat Bridge R ectifier
Reverse Voltage - 40 to 200 Volts
Forward Current - 1.0 Amperes
MBS
FEATURES
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing
molded plastic technique
High temperature soldering guaranteed:
260
/10
seconds at 5 lbs., (2.3kg) tension
Small size, simple installation
High surge current capability
+
0.010
0.25
)
0.028 0.7
MECHANICAL DATA
0.067(1.7)
Dimensions in inches and (millimeters)
Case:
Molded plastic body
Terminals:
Plated leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Polarity symbols marked on case
Mounting Position:
Any
Weight:0.008
ounce, 0.22 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave 60Hz,resistive or inductive load,for current capacitive load, derate by 20%.
MDD Catalog Number
Symbol
MB14S
MB16S
MB18S MB110S
MB120S UNIT
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.2×0.2"(5.0×5.0mm)copper pad area
Peak forward surge current 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Maximum instantaneous forwad voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
T
A
= 25
at Rated DC blocking voltage
T
A
= 100℃
Typical Junction Capacitance at 4.0V,1.0MHz
Typical Thermal resistance (Note1)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJA
R
θJL
T
J
T
STG
40
28
40
60
42
60
80
56
80
1.0
30
100
70
100
200
140
200
V
V
V
A
A
0.55
0.3
10
110
0.70
0.85
0.2
5
80
100
20
–55
to +125
55 to +150
0.90
0.1
2
V
mA
pF
℃/
W
Note:1.Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead P.C.B.mounted on 0.2×0.2"(5.0×5.0mm)copper pad areas.
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