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TB6S

产品描述反向峰值电压:600V 平均整流电流(Io):800mA 正向压降(Vf):950mV @ 400mA
产品类别分立半导体    整流桥   
文件大小597KB,共2页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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TB6S概述

反向峰值电压:600V 平均整流电流(Io):800mA 正向压降(Vf):950mV @ 400mA

TB6S规格参数

参数名称属性值
反向峰值电压600V
平均整流电流(Io)800mA
正向压降(Vf)950mV @ 400mA

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TB2S THRU TB10S
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
Voltage Range - 200 to 1000 Volts
Current - 0.8/1.0 Ampere
FEATURES
TBS
5.0± 0.15
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing
molded plastic technique
High temperature soldering guaranteed:
260
/10
seconds at 5 lbs., (2.3kg) tension
Small size, simple installation
High surge current capability
Glass passivated chip junction
4.4± 0.15
6.5± 0.2
1.3± 0.15
4.4± 0.15
MECHANICAL DATA
0.65± 0.05
4.0± 0.1
0.6± 0.1
0.1± 0.05
0.25± 0.05
Case:
Molded plastic body
Terminals:
Plated leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Polarity symbols marked on case
Mounting Position:
Any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load, for capacitive load derate current by 20%.
MDD Catalog Number
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
On glass-epoxy P.C.B.(Note1)
On aluminum substrate(Note2)
Peak forward surge current,
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage drop
per leg at 1A
Maximum DC reverse current
T
A
=25
at rated DC blocking voltage
T
A
=100
Typical thermal resistance(NOTE 3)
SYMBOLS
TB2S
200
140
200
TB4S
400
280
400
TB6S
600
420
600
0.8
1.0
30
TB8S
800
560
800
TB10S
1000
700
1000
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amps
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
Amps
V
F
I
R
R
R
JL
JA
0.95
5
100
25
80
-55 to +150
-55 to +150
Volts
uA
uA
/W
Operating temperature range
storage temperature range
T
J
T
STG
NOTES:1.On glass epoxy P.C.B. mounted on 0.05x0.05''(1.3x1.3mm) pads
2.On aluminum substrate P.C.B. with on area of 0.8''x0.8''(20x20mm) mounted on 0.05X0.05''(1.3X1.3mm) solder pad
3.Thermal resistance form junction to ambient and junction to lead mounted on P.C.B. with 0.2X0.2''(5X5mm)
copper pads.
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