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MBR20100CT

产品描述直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):850mV @ 10A 100V,20A,VF=850mV@10A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小582KB,共2页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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MBR20100CT概述

直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):850mV @ 10A 100V,20A,VF=850mV@10A

MBR20100CT规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)10A
正向压降(Vf)850mV @ 10A

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MBR2020 THRU MBR20100
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Reverse Voltage - 20 to 100 Volts
Forward Current - 20.0 Amperes
FEATURES
TO-220AC
0.415(10.54)
MAX
0.154(3.91)
DIA
0.148(3.74)
0.185(4.70)
0.175(4.44)
0.057(1.45)
0.051(1.30)
0.113(2.87)
0.103(2.62)
0.145(3.68)
0.135(3.43)
0.410(10.41)
0.390(9.91)
1
0.160 (4.05)
0.140 (3.55)
PIN
2
1.148(29.16)
1.118(28.40)
0.590(14.22)
0.530(13.46)
0.037(0.94)
0.027(0.68)
0.110(2.79)
0.100(2.54)
0.635(16.13)
0.625(15.87)
0.350(8.89)
0.330(8.38)
0.560(14.2)
0.530(13.4)
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Construction utilizes void-free
molded plastic technique
Low reverse leakage
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250 C,0.25
(6.35mm) from case for 10 seconds
MECHANICAL DATA
Case:
TO-220AC molded plastic body
Terminals:
Leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
As marked
Mounting Position:
Any
Weight:0.064
ounce, 1.81 grams
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022(0.58)
0.014(0.35)
PIN 1
PIN 2
CASE
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
MDD Catalog Number
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at Tc(see fig.1)
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 10.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
MBR MBR
SYMBOLS
MBR
MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR
2020 2030 2040 2045 2050 2060 2070 2080 2090 20100
UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
20
14
20
30
21
30
40
28
40
45
32
45
50
35
50
60
42
60
20.0
70
49
70
80
56
80
90
63
90
100
70
100
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amps
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JC
T
J
T
STG
0.55
15.0
550
150.0
0.75
1.0
50.0
450
2.0
-50 to +125
-50 to +150
-50 to +150
0.85
Amps
Volts
mA
pF
C/W
C
C
Note:1.Measured
at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
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