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GBU810

产品描述反向峰值电压:1000V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):1V @ 4A
产品类别分立半导体    整流桥   
文件大小561KB,共2页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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GBU810概述

反向峰值电压:1000V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):1V @ 4A

GBU810规格参数

参数名称属性值
反向峰值电压1000V
平均整流电流(Io)8A
正向压降(Vf)1V @ 4A

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GBU8005 THRU GBU810
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
Forward Current - 8.0 Amperes
GBU
.437(11.1)
.430(10.9)
.874(22.2)
.860(21.8)
.154(3.9)
.146(3.7)
.232(5.9)
.224(5.7)
.401(10.2)
.392(9.80)
.126(3.2)*45°
CHAMFER
FEATURES
.139(3.53)
.133(3.37)
Surge overload rating -175 amperes peak
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing
molded plastic technique
Plastic material has U/L
lammability classification 94V-0
Mounting postition:Any
.752(19.1)
.720(18.3)
.073(1.85)
.057(1.45)
.720(18.29)
.680(17.27)
.047(1.2)
.035(0.9)
.100(2.54)
.085(2.16)
.080(2.03)
.065(1.65)
.106(2.7)
.091(2.3)
.210 .210
.190 .190
(5.3) (5.3)
(4.8) (4.8)
.210
.190
(5.3)
(4.8)
.022(.56)
.018(.46)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
MDD Catalog Number
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward(with heatsink NOTE 2)
Rectified current @ T
c
=100 C(without heatsink)
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Rating for Fusing(t<8.3ms)
Maximum forward voltage at 4.0A DC
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=125 C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating junction temperature range
storage temperature range
SYMBOLS
GBU
8005
GBU
801
GBU
802
GBU
804
GBU
806
GBU
808
GBU
810
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amps
Amps
A
2
s
Volts
µ
A
µ
A
pF
C/W
C
C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
8.0
2.9
200.0
166
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
10
500
60
2.2
-55 to +150
-55 to +150
NOTES:
1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Device mounted on 75mm*75mm*1.6mm cu plate heatsink.
3.The typical data above is for reference only(典型值仅供参考
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