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LESD5Z5.0C

产品描述反向关断电压(典型值):5V 击穿电压(最小值):5.6V 极性:- 箝位电压:16V 峰值脉冲电流(10/1000us):8A (8/20us)
产品类别分立半导体    TVS二极管   
文件大小1MB,共4页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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LESD5Z5.0C概述

反向关断电压(典型值):5V 击穿电压(最小值):5.6V 极性:- 箝位电压:16V 峰值脉冲电流(10/1000us):8A (8/20us)

LESD5Z5.0C规格参数

参数名称属性值
反向关断电压(典型值)5V
击穿电压(最小值)5.6V
箝位电压16V
峰值脉冲电流(10/1000us)8A (8/20us)

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LESD5Z5.0C
Transient Voltage Suppressors for ESD protection
SOD-523 Plastic-Encapsulate
ESD
Protection
Diodes
DESCRIPTION
The LESD5Z5.0C is designed to protect voltage sensitive components from ESD and transient voltage
events. Excellent clamping capability, low leakage, and fast response time, make these parts ideal for
ESD protection on designs where board space is at a premium.
This device has been specifically designed to protect sensitive components which are connected to data
and transmission lines from overvoltage caused by ESD (electrostatic discharge), CDE (Cable Discharge
Events), and EFT (electrical fast transients).
Features
Peak Power Dissipation
128
W (8/20μs)
IEC61000-4-2 (ESD) ±15kV (air),
±8kV (contact)
IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
Protects one
directional I/O line
Low clamping voltage
Working voltages : 5V
Low leakage current
Meets MSL 1 Requirements
Pin
Configuration
Circuit Diagram
Marking
5C
Applications
8
Mechanical Characteristics
Package:
SOD-523
Terminals:Gold plated, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
Packaging: Tape and Reel
Reel size: 7 inch
Cellular handsets and accessories
High Speed Line :USB1.0/2.0, VGA, DVI, SDI
Serial and Parallel Ports
Notebooks, Desktops, and Servers
Portable Instrumentation
Peripherals
Projection TV
Absolute Maximum Ratings (T
A
=25°C unless otherwise specified)
Parameter
ESD per IEC 61000−4−2 (Air)
ESD per IEC 61000−4−2 (Contact)
Peak Pulse Power(tp=8/20us waveform)
Operating Temperature
Storage
Temperature
The above data are for reference only.
DN:T19C12A0
Symbol
V
ESD
P
PP
T
OPT
T
STG
Value
±
30
±
30
128
−40 to +150
−40 to +150
Unit
KV
W
°C
°C
http://www.microdiode.com
Rev:2019A0
Page :1
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