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RS1DG

产品描述直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V @ 1A 反向恢复时间(trr):150ns
产品类别分立半导体    快恢复二极管   
文件大小630KB,共3页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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RS1DG概述

直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V @ 1A 反向恢复时间(trr):150ns

RS1DG规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)200V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)1.3V @ 1A
反向恢复时间(trr)150ns

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RS1AG
THRU
RS1MG
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
Forward Current - 1.0 Ampere
SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
Features
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Idea for printed circuit board
Open Junction chip
Low reverse leakage
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250℃/ 10 seconds at terminals
Glass passivated chip junction
0.096(2.42)
0.078(1.98)
0.067 (1.70)
0.051 (1.30)
DO-214AC/SMA
0.110(2.80)
0.094(2.40)
0.177(4.50)
0.157(3.99)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
Mechanical Data
Case
: JEDEC DO-214AC/SMA Molded plastic body
Terminals
: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity
: Polarity symbol marking on body
Mounting Position
: Any
Weight
: 0.002ounce, 0.055 grams
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.008(0.203)MAX.
0.208(5.30)
0.188(4.80)
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings And Electrical Characteristics
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
Parameter
SYMBOLS
RS1AG
MDD
RS1A
RS1BG
MDD
RS1B
RS1DG
MDD
RS1D
RS1GG
MDD
RS1G
RS1JG
MDD
RS1J
RS1KG
MDD
RS1K
RS1MG
MDD
RS1M
Marking Code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at TL=90
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave
superimposed onrated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
at rated DCblocking voltage
Maximum reverse recovery time
T
A
=25℃
T
A
=125℃
(NOTE 1)
V
RMM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
UNITS
V
V
V
A
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
FSM
V
F
I
R
trr
30
1.30
5.0
50.0
150
15.0
75.0
-55 to +150
250
500
A
V
μA
ns
pF
℃/W
Typical junction capacitance (NOTE 2)
Typical thermal resistance (NOTE 3)
Operating junction and storage temperature range
C
J
R
JA
T
J
,
T
STG
Note:1.Reverse
recovery condition IF=0.5A,IR=1.0A,Irr=0.25A.
2.P.C.B. mounted with
2.0x2.0”(5.0x5.0cm)
copper pad areas.
3.The typical data above is for reference only.
DN:T19704A0
https://www.microdiode.com
Rev:2019A0
Page :1
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