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SB10100L

产品描述直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):750mV @ 10A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小2MB,共2页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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SB10100L概述

直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):750mV @ 10A

SB10100L规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)10A
正向压降(Vf)750mV @ 10A

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SB1045L THRU SB10150L
10
.
0A Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
TO-277
Features
·
!
Schottky Barrier Chip
!
High Thermal Reliability
·
·
!
Patented Super Barrier Rectifier Technology
·
!
High Forward Surge Capability
!
Ultra Fow Power Loss,High Efficiency
·
·
!
Excellent High Temperature Stability
!
Plastic material-UL flammability 94V-0
Mechanical Data
.
!
Case: TO-277, molded plastic
·
!
Terminals:Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202,Method 208
·
!
Polarity:Cathode Band
·
!
Mounting Position:Any
·
!
Marking:Type Number
!
Lead Free:For RoHS/Lead Free Version
·
Dimiensions inches and ( milimenters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @T
A
=25
unless otherwise specified
Single Phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load.For capacitive load,derate current by 20%.
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC blocking voltage
RMS Rectified Voltage
Average Rectified Output Current
Non-Repetitive Peak Forward Surge8.3ms
Single Half Sine-Wave Superimposed on rated
load(JEDEC Method)
Forward Voltage Drop T
A
=25
@IF=10A
Peak Reverse Curent
At Rated DC Blocking Voltage
Typical Thermal Resistance
Junctionto Ambient
Operating junction temperature range
storage temperature range
T
A
=25
T
A
=100
(Note1)
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
DC
V
R(RMS)
I
O
SB
SB
SB
SB
SB
SB
Unit
1045L 1050L 1060L 1080L 10100L 10150L
45
32
50
35
60
42
10
80
56
100
70
150
105
V
V
A
I
FSM
150
A
(Note2)
V
FM
0.55
0.6
0.3
15
80
15
0.75
0.78
V
mA
℃/W
I
R
R
θJA
R
θJL
T
J
T
STG
-55 to +150
-55 to +150
Note:1.Valid Provided that are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
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