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S1B

产品描述直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V @ 1A 100V,1A,VF=1.1V@1A
产品类别分立半导体    通用二极管   
文件大小531KB,共2页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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S1B概述

直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V @ 1A 100V,1A,VF=1.1V@1A

S1B规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)1.1V @ 1A

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S1A THRU S1M
SURFACE MOUNT GENERAL RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
Forward Current - 1.0 Ampere
DO-214AC/SMA
FEATURES
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
For surface mounted applications
Low reverse leakage
Built-in strain relief,ideal for automated placement
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds at terminals
0.067 (1.70)
0.051 (1.30)
0.110(2.80)
0.100(2.54)
0.177(4.50)
0.157(3.99)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.096(2.42)
0.078(1.98)
MECHANICAL DATA
0.008(0.203)MAX.
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.222(5.66)
0.194(4.93)
Case:
JEDEC DO-214AC molded plastic body
Terminals:
Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:0.002
ounce, 0.07 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
MDD Catalog Number
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at T
L
=110 C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction and storage temperature range
SYMBOLS
S1A
S1B
S1D
S1G
S1J
S1K
S1M
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amp
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
STG
30.0
1.1
5.0
50.0
15.0
75.0
-50 to +150
Amps
Volts
µ
A
pF
C/W
C
Note:1.Measured
at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas
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