电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SL1045

产品描述直流反向耐压(Vr):45V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):470mV @ 10A 45V,10A,VF=0.47V@10A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小729KB,共3页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
下载文档 详细参数 全文预览

SL1045概述

直流反向耐压(Vr):45V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):470mV @ 10A 45V,10A,VF=0.47V@10A

SL1045规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)45V
平均整流电流(Io)10A
正向压降(Vf)470mV @ 10A

SL1045文档预览

下载PDF文档
SL1045
10.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
!
!
!
!
!
!
!
Bypass Diodes for Solar Panels
Maximum Junction Temperture
200ºC
High Thermal Reliability
Patented Super Barrier Rectifier Technology
High Foward Surge Capability
Ultra Low Power Loss, High Efficiency
Excellent High Temperature Stability
TO-277
Top View
Bottom View
Mechanical Data
!
!
Case:TO-277 Molded Plastic "Green" Molding Compound
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Weight: 0.093 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
Lead Free: For RoHS/Lead Free Version
@T
A
=25°C unless otherwise specified
LEFT PIN
RIGHT PIN
BOTTOMSIDE
HEAT SINK
Note: Pins Left & Right must
be electrically connected
at the printed circuit board.
!
!
!
!
!
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current (Note 1)
@T
L
= 90°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
SL1045
45
32
10.0
275
0.42
0.47
0.41
0.3
15
75
30000
73
31
-65 to +150
≤180
≤200
-65 to +150
Unit
V
V
A
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
@T
L
= 75°C
Forward Voltage Drop
@I
F
= 8A , Tj = 25°C
@I
F
= 10A,Tj = 25°C
@I
F
= 10A,Tj = 125°C
@V
F
= 45V , Tj = 25°C
@V
F
= 45V, Tj = 100°C
@V
F
= 45V, Tj = 150°C
V
FM
V
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
I
RM
mA
Repetitive Peak Avalanche Power(1us,25
°C)
P
ARM
(Note 2)
(Note 3)
R
θ
JA
W
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
°C/W
Operating Temperature Range
@
V
R
80% V
RRM
@
V
R
50% V
RRM
DC Forward Mode
T
j
°C
°C
Storage Temperature Range
T
STG
Note: 1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. FR-4 PCB, 2oz. Copper, minimum recommended pad layout .
3. Polymide PCB, 2oz. Copper. Cathode pad dimensions 18.8mm x 14.4mm. Anode pad dimensions 5.6mm x 14.4mm.
2014-03 01版
遇到难题了
你看这是at89x51.h里的位定义 sfr SCON = 0x98; sfr SBUF = 0x99; 这么说来 缓冲器的地址和SCON.1的地址重合了,这么可以重呢 ,这个寄存器还是占用8位的字节吗?若是,岂不是把SCO ......
zzbeagle 综合技术交流
wince平台使用的教育学习软件?
你们有看到市场上有卖Win CE平台上使用的教育学习软件!? 有的话告知一下! 像洪恩/智慧源等等这类公司开发出来教育学习软件,是怎么一个开发平台,有专家或朋友了解的话方便解答一下吗? ......
NetCom 嵌入式系统
请问在飞利浦手机开发平台发开前途 咋样?
小弟今年刚毕业,来了家新公司,他让我做飞利浦手机开发平台下的研发,他说将来让我做TD项目, 貌似飞利浦手机开发平台用的公司很少,请该使用过平台的兄弟们评价一下这个平台下的开发前途如何 ......
hahaxiao 嵌入式系统
51系列单片机的优点及各种51单片机的简单比较
51系列单片机的优点及各种51单片机的简单比较 51系列优点之一是它从内部的硬件到软件有一套完整的按位操作系统,称作位处理器,或布尔处理器。它的处理对象不是字或字节而是位。它不光能对 ......
tiankai001 51单片机
wince usb 判断Adapter
目前在做三星Cpu usb otg 部份,6410 2450 ,请问怎么判断是数据线还是电源线?看Spec 没有找到判断的方法。 难道要把Usb部分全部Run 起来,然后抓数据? 谢谢!...
gerbil 嵌入式系统
职场心理:职场屌丝与成功擦肩?
  提起屌丝的形象,很多人脑海里蹦出的是:矮丑穷的蓝领男性。这类负面的字眼在今年的传播率非常高,如今这个词已经被延伸到女性和部分白领阶层。   在职场,屌丝的出现不是为了提醒我 ......
ESD技术咨询 工作这点儿事
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved