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MMBT5401

产品描述晶体管类型:PNP 集电极电流Ic:600mA 集射极击穿电压Vce:160V 额定功率:300mW PNP
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小534KB,共2页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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MMBT5401概述

晶体管类型:PNP 集电极电流Ic:600mA 集射极击穿电压Vce:160V 额定功率:300mW PNP

MMBT5401规格参数

参数名称属性值
晶体管类型PNP
集电极电流Ic600mA
集射极击穿电压Vce160V
额定功率300mW

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MMBT5401
TRANSISTOR(PNP)
FEATURES
Complementary to MMBT5551
Ideal for Medium Power Amplification and Switching
SOT-23 Plastic Package
MARKING: 2L
MAXIMUM RATINGS (T
A
=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
R
ΘJA
T
j
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Thermal Resistance From Junction To Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
-160
-150
-5
-0.6
300
416
150
-55½+150
Unit
V
V
V
A
mW
℃/W
Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
h
FE(3)
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
f
T
C
ob
Test
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
= -10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=-120 V , I
E
=0
V
EB
=-4V ,
V
CE
= -5V,
V
CE
= -5V,
V
CE
= -5V,
I
C
=0
I
C
= -1mA
I
C
=
=-10mA
I
C
=-50mA
=
80
100
50
-0.5
-1
1
100
300
6
V
V
V
MHz
pF
300
conditions
Min
-160
-150
-5
-0.1
-0.1
Typ
Max
Unit
V
V
V
I
C
=100µA, I
E
=0
μ
A
uA
I
C
=-50 mA, I
B
= -5mA
I
C
= -50 mA, I
B
= -5mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
CE
=10V,I
C
=10mA, f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
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