Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 开关二极管> BAV21WS

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BAV21WS: 产品描述反向恢复时间（trr）：50ns 直流反向耐压（Vr）：200V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 200mA 200V,200mA,trr=50ns,VF=1.25V@200mA; 产品类别分立半导体开关二极管; 文件大小438KB，共4页; 制造商深圳辰达行电子(MDD); 官网地址http://www.microdiode.com/; 深圳辰达半导体有限公司（简称MDD辰达半导体）是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载，始终坚持以产品技术为驱动，以客户需求为核心，打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵，产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域，服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念，基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力，持续关注前沿技术及应用领域发展趋势，全面推动产品升级迭代，提高功率器件产业化及服务闭环的能力，为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来，公司将依托行业洞察的能力，通过品牌与技术双轮驱动，快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景，助力中国半导体产业升级。

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BAV21WS概述

反向恢复时间（trr）：50ns 直流反向耐压（Vr）：200V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 200mA 200V,200mA,trr=50ns,VF=1.25V@200mA

BAV21WS规格参数

参数名称	属性值
反向恢复时间（trr）	50ns
直流反向耐压（Vr）	200V
平均整流电流（Io）	200mA
正向压降（Vf）	1.25V @ 200mA

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BAV19WS/BAV20WS/BAV21WS

Silicon Epitaxial Planar Diode

FEATURES

Fast Switching Speed

Surface Mount Package Ideally Suited For

Automatic Insertion

For General Purpose Switching Applications

High Conductance

Lead-free

APPLICATIONS

Surface mount fast switching diode

SOD-323

ORDERING INFORMATION

Type No.

BAV19WS

BAV20WS

BAV21WS

Marking

Package Code

SOD-323

MAXIMUM RATING

@ Ta=25℃ unless otherwise specified

Characteristic

Repetitive Peak Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Reverse Voltage

RMS Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

@t=1.0

μs

@t=1.0 s

Repetitive Peak Forward Surge Current

Power Dissipation

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Operating and Storage Temperature Rage

Symbol BAV19WS BAV20WS

RRM

RWM

R(RMS)

FSM

FRM

θJA

STG

120

100

200

2.5

0.5

625

200

625

-65 to +150

200

150

106

BAV21WS Unit

250

200

141

℃/W

℃

２０１４－０３　０１版

½½½½：／／½½½．½½½½½½½½½½．½½½

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