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SMBJ33A

产品描述极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):11.3A 箝位电压:53.3V 击穿电压(最小值):36.7V 反向关断电压(典型值):33V VRWM=33V,VRSM=53.3V,IRSM=11.3A,单向
产品类别分立半导体    TVS二极管   
文件大小204KB,共4页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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SMBJ33A概述

极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):11.3A 箝位电压:53.3V 击穿电压(最小值):36.7V 反向关断电压(典型值):33V VRWM=33V,VRSM=53.3V,IRSM=11.3A,单向

SMBJ33A规格参数

参数名称属性值
极性Unidirectional
峰值脉冲电流(10/1000us)11.3A
箝位电压53.3V
击穿电压(最小值)36.7V
反向关断电压(典型值)33V
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